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J346-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n在电机控制系统中,该产品可用作电机驱动的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效,适用于工业自动化、机器人等领域。\nP沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
供应商型号: J346-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J346-VB

J346-VB概述

    # P-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    本产品是一款P沟道20V(D-S)MOSFET,具有优秀的导通特性和高效能。这种类型的MOSFET主要用于负载开关和直流/直流转换器等领域。
    主要功能
    - 高可靠性:符合RoHS标准,并且不含卤素。
    - 高性能:采用TrenchFET®工艺制造,提供更佳的性能和可靠性。
    - 高效率:较低的导通电阻(RDS(on)),减少功耗并提高效率。

    技术参数


    静态参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS -20 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.080 | 0.150 | Ω |
    | 门源阈值电压 | VGS(th)| -0.45 1.5 | V |
    | 门源泄漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 输入电容 | Ciss | 272 pF |
    | 输出电容 | Coss 55 pF |
    | 传输电容 | Crss 44 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 4.3 | 6.5 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | 0.7 nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | 1.0 nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 1.4 14 | Ω |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | -20 | V |
    | 门源电压 | VGS | ±12 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -3.1 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -6 | A |
    | 最大功率损耗 | PD | 0.5 | W |
    | 工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -50至150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 无卤素设计:根据IEC 61249-2-21定义设计,确保环保安全。
    - TrenchFET®技术:实现更高的效率和更低的导通电阻。
    - 100% Rg测试:保证产品质量,提升可靠性。
    市场竞争力
    - 低导通电阻:使得MOSFET在负载开关和直流/直流转换器中的应用更加高效。
    - 宽工作温度范围:适应各种恶劣环境,提高应用灵活性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关:用于电路中的开关控制,如电池管理系统的充电/放电切换。
    - 直流/直流转换器:适合于需要高效转换的应用场合,如电源供应系统。
    使用建议
    - 在使用时需注意MOSFET的工作条件,确保环境温度和电流在规定的范围内。
    - 设计中要考虑散热措施,避免长时间过热影响产品寿命。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品与SOT-323和SC-70封装相兼容,适用于多种电路板设计。
    支持
    - 服务热线:提供技术支持和售后服务,咨询热线为400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题一:导通电阻过大。
    - 解决办法:检查安装环境是否符合规定,或者确认是否有合适的散热装置。

    - 问题二:栅极电压不稳定。
    - 解决办法:检查电源稳定性和连接是否良好,必要时更换更稳定的电源。

    总结和推荐


    综合评估
    该款P-Channel 20V MOSFET以其低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性,非常适合应用于负载开关和直流/直流转换器。具备优秀的性能表现和可靠性,在同类产品中具有较强的市场竞争力。
    推荐使用
    综上所述,我们强烈推荐使用这款P-Channel 20V MOSFET,尤其是在需要高效开关和稳压的应用环境中。

J346-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 3A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J346-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J346-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J346-VB J346-VB数据手册

J346-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
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