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IPB049NE7N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: IPB049NE7N3 G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB049NE7N3 G-VB

IPB049NE7N3 G-VB概述

    IPB049NE7N3 G-VB N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: IPB049NE7N3 G-VB 是一款采用ThunderFET®技术的N-Channel MOSFET。
    主要功能: 该产品能够在高达175°C的结温下运行,具有较高的可靠性和稳定性能。它广泛应用于工业控制、电源转换系统、电机驱动等领域。
    应用领域: 主要用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器等应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 连续漏电流(TJ = 150°C) | ID | 120 | - | 65 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 225 | - | - | A |
    | 单次雪崩电流 | IA | - | - | 50 | A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | - | - | 125 | mJ |
    | 最大耗散功率(TJ = 25°C) | PD | 370 | - | 120 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |
    | 结至环境热阻(PCB安装) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    | 结至外壳热阻 | RthJC | 0.75 | - | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    独特功能: 高达175°C的结温能力,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
    优势: 通过100% Rg和UIS测试验证了其可靠性;材料分类符合RoHS和无卤标准;采用ThunderFET®技术,提供低导通电阻和高可靠性。
    市场竞争性: 在高温工作环境下的优异表现使其成为工业控制和电力转换领域的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源:IPB049NE7N3 G-VB MOSFET能够有效地管理电源的输出电流,提高系统的效率。
    - 电机驱动:高电流能力和低导通电阻使其非常适合电机驱动的应用。
    - 逆变器:在逆变器中,MOSFET需要快速响应和稳定的性能,这款产品完全胜任。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在连续工作情况下,可以考虑增加散热片或使用散热更好的PCB材料。
    - 使用过程中应避免超过绝对最大额定值,特别是高电压和高电流情况下。
    - 针对不同的应用场景,可能需要进行一定的参数调整以优化系统性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性: IPB049NE7N3 G-VB MOSFET适用于标准的TO-263封装,兼容市场上常见的引脚布局,可轻松集成到现有设计中。
    支持: 制造商提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南和故障排查手册。客户还可以联系官方服务热线获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 产品在高温环境下出现性能下降?
    解决方法: 检查散热措施是否充分,增加散热片或使用更高效的散热材料。此外,检查电路设计是否合理,确保不会因过载导致温度过高。
    问题2: 产品在高频应用中表现出不稳定?
    解决方法: 调整栅极电阻Rg,降低栅极电荷Qg和栅极电容Cgs,以提高开关速度。同时,确认驱动信号波形质量良好,避免信号干扰。

    7. 总结和推荐


    综合评估: IPB049NE7N3 G-VB N-Channel MOSFET是一款高性能的电子元件,适用于多种严苛的工作环境。其出色的耐温性能和可靠性使其成为工业控制和电力转换领域的首选产品。
    推荐: 强烈推荐使用IPB049NE7N3 G-VB MOSFET。尽管价格较高,但其卓越的性能和长期稳定性将为您带来显著的效益。

IPB049NE7N3 G-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB049NE7N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB049NE7N3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB049NE7N3 G-VB IPB049NE7N3 G-VB数据手册

IPB049NE7N3 G-VB封装设计

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500+ ¥ 4.3194
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