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J199-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-5A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J199-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J199-VB

J199-VB概述

    # P-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,主要适用于各种电源管理和开关电路。其核心特性包括采用先进的TrenchFET®技术,确保了其在高电压和电流条件下的可靠性和效率。本产品主要用于中间直流电源的有源钳位和照明应用中的H桥高边开关。
    主要功能
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证产品质量。
    - 广泛应用:适用于各种高电压电源管理电路和开关应用。

    应用领域
    - 中间直流电源的有源钳位。
    - 照明应用中的H桥高边开关。

    技术参数


    以下是P-Channel 100-V MOSFET的关键技术规格:
    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS -100 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 20 V |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C) | ID -3.0 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM -12 | A |
    | 连续源极-漏极二极管电流 | IS -4.9 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 11.25 mJ |
    | 最大功率耗散 | PD 6.5 W |
    | 工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    P-Channel 100-V MOSFET具备以下显著特点和优势:
    - 高效能:采用先进的TrenchFET®技术,显著提高了整体效率和可靠性。
    - 稳定可靠:通过100% Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 适应性强:宽广的工作温度范围,使其适用于各种恶劣环境条件。
    - 快速响应:具有较低的门电荷,确保快速开关操作,减少能量损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 中间直流电源的有源钳位:通过其高效的转换能力和低功耗,可广泛应用于各类电源转换模块中。
    2. 照明应用中的H桥高边开关:利用其高速开关性能,提高照明系统的控制精度和响应速度。
    使用建议
    - 在使用时应注意确保合适的散热措施,以避免因过热而导致性能下降。
    - 尽量避免超过绝对最大额定值,以防器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准SOT89封装,易于集成到现有系统中。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保产品在高温环境下正常工作?
    - 解决办法:遵循技术手册中的建议,在高温环境下增加散热措施,并监测温度以确保不超过最大限制。

    2. 问题:如何避免超负荷使用导致器件损坏?
    - 解决办法:严格按照手册中的额定值操作,避免长时间超过额定电流和电压工作。

    总结和推荐


    P-Channel 100-V MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用性,在高电压电源管理和开关电路中表现出色。其高可靠性、高效能和快速响应等特点使其在市场上具有强大的竞争力。建议在设计需要高效率和稳定性要求的应用中积极考虑使用此产品。
    综上所述,强烈推荐P-Channel 100-V MOSFET作为高电压电源管理解决方案的理想选择。

J199-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J199-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J199-VB数据手册

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J199-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
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500+ ¥ 1.2101
1000+ ¥ 1.1597
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