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9915J-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: 9915J-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9915J-VB

9915J-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、低功耗的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为直流转换(DC/DC 转换)和系统电源应用设计。它采用先进的TrenchFET® Gen III技术制造,具备无卤素环保材料和全检测试,确保可靠性。适用于多种高电流应用场景,广泛应用于工业控制、通信设备及消费电子产品等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 30 | - | 30 | V |
    | 源极-漏极连续电流(TJ = 150°C) | ID | 14 (TC = 25°C) | - | 50 | A |
    | 漏极-源极开关电阻 | RDS(on) | 9 (VGS = 4.5 V, ID = 7 A) | 7 (VGS = 10 V, ID = 10 A) | - | mΩ |
    | 门极-源极电荷 | Qg | - | 18 (VGS = 4.5 V, ID = 10 A) | 33 (VGS = 10 V, ID = 10 A) | nC |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 150 | - | - | A |
    | 反向恢复时间 | trr | 17 | - | 34 | ns |
    | 正向导通电压 | VSD | - | - | 1.2 | V |

    产品特点和优势


    - 无卤素:符合RoHS标准,环保且对人体无害。
    - TrenchFET® Gen III 技术:提供出色的导通电阻和栅极电荷,提升整体性能。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品的可靠性和稳定性。
    - 宽温度范围:可在-55°C至150°C的工作环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换:在电源管理系统中,可作为高效转换的关键组件,减少能量损耗。
    - 系统电源:适合应用于工业控制和通信设备,提升系统整体效率。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,需注意散热设计,以确保产品在长时间工作时能维持稳定性能。
    - 选择合适的外部电路元件,例如门极电阻(Rg),以优化开关时间和能耗。

    兼容性和支持


    - 该产品支持标准TO-251封装,易于集成到现有电路板设计中。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决应用过程中的任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何优化门极电阻(Rg)设置?
    - 解决办法:参考数据手册中的图表,根据具体的应用需求选择合适的Rg值。通常,较小的Rg值可以降低开关延迟时间,但会增加门极电荷,从而增加开关损耗。
    - 问题:如何测量MOSFET的热阻?
    - 解决办法:可以使用热成像仪或热电阻计来测量MOSFET的温度分布,从而估算其热阻。

    总结和推荐


    总体评价:
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款集高效能、低损耗和高可靠性的理想产品。其卓越的导通电阻和紧凑的封装使其成为许多应用的理想选择。特别是对于需要高效电源管理的场合,该产品能够显著提高系统的能效和可靠性。
    推荐:
    我们强烈推荐使用这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,无论是工业控制还是消费电子领域,都能找到其独特的应用价值。

9915J-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9915J-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9915J-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9915J-VB 9915J-VB数据手册

9915J-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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