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J650-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-12A,RDS(ON),100mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: J650-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J650-VB

J650-VB概述

    J650-VB P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    J650-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它的主要功能是在电源管理和负载开关应用中作为控制开关。该产品适用于多种电子设备,尤其是在需要高电流开关能力和低导通电阻的应用中表现尤为出色。

    2. 技术参数


    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -60V
    - 门限电压 (VGS(th)): -1.0 ~ -3.0V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): -1 μA @ VDS = -60V, VGS = 0V
    - 导通漏电流 (ID(on)): -10A @ VDS = -5V, VGS = -10V
    - 导通电阻 (rDS(on)): 0.100Ω @ VGS = -10V, ID = -5A (TJ = 25°C), 0.150Ω @ TJ = 125°C
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 550 pF @ VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss): 95 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 60 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 12.5 nC @ VDS = -30V, VGS = -10V, ID = -8.4A
    - 门开启时间 (td(on)): 5 ~ 10 μs @ VDD = -30V, RL = 3.57Ω, ID ≅ -8.4A
    - 上升时间 (tr): 14 ~ 25 ns
    - 门关闭时间 (td(off)): 15 ~ 25 μs
    - 下降时间 (tf): 7 ~ 12 μs

    3. 产品特点和优势


    J650-VB 的显著特点是采用TrenchFET®工艺制造,提供极低的导通电阻,从而实现更高的能效和更低的功率损耗。此外,它通过100%的UIS测试,保证了优异的雪崩耐受能力。这些特点使其在电源管理和负载开关应用中表现出色,能够提供高效且可靠的开关控制。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:J650-VB 可以广泛应用于直流电机驱动、负载开关以及电池管理等领域。例如,在电池管理系统中,它可以作为开关元件来控制电池的充放电过程,确保系统的稳定运行。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在使用时合理配置栅极电阻 (Rg),并根据具体应用场景选择合适的门限电压。此外,由于其高工作电流,需注意散热设计以避免过热问题。

    5. 兼容性和支持


    J650-VB 可以直接焊接在标准的FR-4电路板上,安装方便。VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,包括详细的安装指南和故障排查手册,以帮助客户更好地使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:启动时电流过高
    - 解决方案:检查栅极电阻 (Rg) 是否设置正确,确保其值适中。
    - 问题:工作温度超出正常范围
    - 解决方案:加强散热措施,使用散热片或散热风扇来降低工作温度。

    7. 总结和推荐


    J650-VB P-Channel MOSFET凭借其出色的性能参数和良好的可靠性,非常适合用于各种需要高电流控制的应用场合。如果您正在寻找一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,J650-VB将是您的理想选择。强烈推荐该产品给那些需要在严苛环境中使用高性能MOSFET的用户。

J650-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,125mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J650-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J650-VB数据手册

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J650-VB封装设计

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