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K3113B-S15-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: K3113B-S15-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3113B-S15-VB

K3113B-S15-VB概述

    K3113B-S15 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3113B-S15 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类 MOSFET 被广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电池充电器等领域,尤其适合高电压和高电流的应用环境。产品型号 K3113B-S15 具备低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),保证了高效的电能转换效率和良好的可靠性。

    技术参数


    K3113B-S15 的关键参数如下:
    - 击穿电压(VDS):650 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 条件下为 5 Ω
    - 总栅极电荷(Qg(max)):11 nC
    - 输入电容(Ciss):417 pF
    - 输出电容(Coss):45 pF
    - 有效输出电容(Coss eff.):0 pF 到 520 V 范围内变化
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):8 A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):6 mJ
    - 工作环境温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):简化了驱动需求,降低了驱动电路的设计复杂度。
    2. 改进的栅极、雪崩及动态 dv/dt 耐受性:提升了产品的鲁棒性,适用于严苛的工作环境。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压、电流特性:确保了产品在各种条件下的可靠性和稳定性。
    4. 符合 RoHS 规范:满足欧盟对有害物质限制的要求。

    应用案例和使用建议


    K3113B-S15 MOSFET 适用于多种高压和大电流的应用场合,例如:
    - 工业电机驱动:提供高效率的能量转换。
    - 开关电源:由于其低 RDS(on),可以减少发热并提高效率。
    - 逆变器:适合用于光伏逆变器、风力发电逆变器等。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,考虑到 K3113B-S15 的高击穿电压和低 RDS(on),选择合适的驱动电路以优化开关速度和效率。
    2. 确保 PCB 布局合理,减小寄生电感和电容的影响,从而避免不必要的振荡。
    3. 在高温环境下使用时,需注意散热设计以防止过热。

    兼容性和支持


    K3113B-S15 MOSFET 具有良好的兼容性,适用于多种标准封装形式,如 IPAK(TO-251)。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括样品申请、技术支持热线(400-655-8788)和在线资源中心(www.VBsemi.com)。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高频率下使用时发热严重。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或者采用强制风冷措施。

    2. 问题:在某些特定条件下出现异常关断现象。
    - 解决方案:检查驱动信号是否稳定,确认驱动电路参数设置正确。

    总结和推荐


    K3113B-S15 MOSFET 以其低栅极电荷、改进的耐用性和完整的电气参数表征,成为高压、大电流应用的理想选择。其优异的性能和可靠性使其在众多同类产品中脱颖而出。如果你的应用需要高可靠性和高效率的电力转换,K3113B-S15 是一个值得考虑的选项。VBsemi 提供全面的支持服务,确保用户能够顺利使用和维护这款产品。

K3113B-S15-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3113B-S15-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3113B-S15-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3113B-S15-VB K3113B-S15-VB数据手册

K3113B-S15-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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