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JCS5N50CT-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: JCS5N50CT-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS5N50CT-O-C-N-B-VB

JCS5N50CT-O-C-N-B-VB概述

    JCS5N50CT-O-C-N-B-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS5N50CT-O-C-N-B-VB 是一款 N-通道功率 MOSFET,专为各种开关电源应用而设计。它具有低门极电荷(Qg)和高可靠性的栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性。该 MOSFET 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及其他高速功率转换领域。本产品还适用于多种离线 SMPS 拓扑,如有源钳位正向拓扑和主开关。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 600V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - 在 25 °C 时: 8.0 A
    - 在 100 °C 时: 5.8 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 37 A
    - 静态栅极-源极阈值电压(VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 栅极-源极泄漏电流(IGSS): |± 100 nA|
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS): ≤ 25 μA
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.780 Ω(VGS = 10 V)
    - 输入电容(Ciss): 1400 pF(VGS = 0 V,VDS = 25 V)
    - 输出电容(Coss): 180 pF(VGS = 0 V)
    - 反向转移电容(Crss): 7.1 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 49 nC(VGS = 10 V,VDS = 400 V)
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 13 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 20 nC

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低 Qg 可减少驱动要求,简化电路设计。
    - 高鲁棒性: 改善的栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性使该 MOSFET 能够承受更高的瞬态电压和电流。
    - 全特性化参数: 包括容抗和雪崩电压、电流的全面特性化,确保产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源(SMPS): 适用于不同类型的 SMPS 拓扑,如有源钳位正向拓扑。
    - 不间断电源(UPS): 适用于需要快速响应和高可靠性的电源系统。
    - 建议使用: 使用过程中需要注意控制峰值电流和温度,以避免过热和损坏。建议使用散热器以提高散热效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种离线 SMPS 拓扑,与其他电子元器件和设备兼容。
    - 支持: 提供详细的规格参数和技术支持,以便客户能够正确使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品在高电流下出现过热现象。
    - 解决方案: 确保散热良好,安装适当的散热片。
    2. 问题: 产品在启动时出现异常电流。
    - 解决方案: 检查启动条件,确保符合规范。
    3. 问题: 产品在高温度环境下工作不稳定。
    - 解决方案: 使用更高散热能力的外壳,或者选择合适的安装位置。

    总结和推荐


    JCS5N50CT-O-C-N-B-VB N-通道功率 MOSFET 在众多应用场景中表现出色,具备出色的鲁棒性和可靠性。无论是作为开关模式电源还是不间断电源的关键组件,其低栅极电荷和高鲁棒性都使其成为理想选择。建议在设计高效率、高性能的电源系统时采用该产品。

JCS5N50CT-O-C-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS5N50CT-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS5N50CT-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS5N50CT-O-C-N-B-VB JCS5N50CT-O-C-N-B-VB数据手册

JCS5N50CT-O-C-N-B-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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