处理中...

首页  >  产品百科  >  UTC654-AG6-R-VB

UTC654-AG6-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UTC654-AG6-R-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTC654-AG6-R-VB

UTC654-AG6-R-VB概述


    产品简介


    UTC654-AG6-R P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    UTC654-AG6-R 是一款高性能的P沟道30V(漏-源)MOSFET。它采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术,适用于多种负载开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高可靠性及良好的热性能,广泛应用于电源管理和负载开关领域。

    技术参数


    以下是UTC654-AG6-R的主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):
    - TC = 25°C:4.8A
    - TC = 70°C:4.1A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-20A
    - 连续源极-漏极二极管电流(IS):-2.5A
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25°C:3.0W
    - TC = 70°C:2.0W
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C到150°C
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 最大功耗(PD):3.0W
    - 工作环境:允许的最大结温为150°C

    产品特点和优势


    UTC654-AG6-R具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:在VGS = -10V时,RDS(on)仅为0.049Ω,在VGS = -4.5V时为0.054Ω,能够有效降低损耗并提高能效。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,保证了长时间使用的稳定性和可靠性。
    - 良好的热性能:在标准条件下,结到散热片的热阻RthJF为34°C/W,使得散热效果更佳。
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,适合环保要求高的应用场景。

    应用案例和使用建议


    UTC654-AG6-R常用于以下应用场景:
    - 负载开关:例如,用于电源管理系统的负载切换,以控制电路中的电流。
    - 电池管理系统:用于电池保护电路,确保电池安全充电和放电。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保栅极驱动电压不超出±20V的范围,以避免损坏。
    - 考虑到较高的漏极电流,建议在安装时增加适当的散热措施,以保证器件的长期稳定性。

    兼容性和支持


    UTC654-AG6-R可与多种电路板兼容,并且厂商提供全面的技术支持。服务热线:400-655-8788,客户可以随时联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压超限。
    - 解决办法:确保栅极驱动电压不超过±20V,必要时添加合适的保护电路。

    2. 问题:温度过高导致器件失效。
    - 解决办法:适当增加散热措施,如加装散热片或使用散热器。

    总结和推荐


    UTC654-AG6-R是一款高性能的P沟道MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性及良好的热性能,非常适合应用于电源管理和负载开关领域。其无卤素设计使其适用于各种环保要求较高的场合。强烈推荐此款产品,适用于需要高效、可靠且环保的电力管理解决方案。

UTC654-AG6-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4.8A
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTC654-AG6-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTC654-AG6-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTC654-AG6-R-VB UTC654-AG6-R-VB数据手册

UTC654-AG6-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504