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95N03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252 该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 95N03-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 95N03-VB

95N03-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET),特别适用于电源管理和电力转换应用。这款MOSFET采用TrenchFET®技术,提供了极低的导通电阻(RDS(on))和快速开关速度,能够有效地提高效率和减少能耗。其主要应用领域包括OR-ing、服务器电源管理和直流到直流转换器(DC/DC converters)等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.002Ω (VGS=10V)
    - 持续漏电流 (ID): 100A (TC=25°C)
    - 最大功率耗散 (PD): 235W (TC=25°C)
    - 电气特性
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.5V 至 2.5V
    - 零门电压漏电流 (IDSS): 1μA (VDS=30V, VGS=0V)
    - 门源泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VDS=0V, VGS=±20V)
    - 热阻
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA): 32°C/W
    - 最大结点到外壳稳态热阻 (RthJC): 0.5°C/W

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V MOSFET 具有以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.002Ω (VGS=10V),这使得在高电流条件下仍能保持较低的能耗。
    - 快速开关速度:总栅电荷 (Qg) 为151至227nC,使得开关损耗较小,适合高频应用。
    - 可靠性:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 环保合规:符合RoHS指令,满足现代电子设备的环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:这种MOSFET特别适用于服务器电源管理、直流到直流转换器和OR-ing应用。
    - 使用建议:在设计电路时,应注意保证MOSFET的工作温度不超过175°C。为了更好地散热,可以考虑加装散热片或使用更有效的冷却方法。此外,在电路布局上应尽量缩短栅极和源极之间的距离,以减小杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET采用了标准的TO-252封装,便于安装和与其他元器件集成。
    - 支持和服务:厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格书、应用指南和故障排查服务。如有需要,客户可以联系服务热线:400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何选择合适的散热方案?
    - 解决方案:根据具体应用中的电流和工作条件,选择合适大小的散热片或风扇来降低MOSFET的温升。

    - 问题二:如何避免MOSFET过热损坏?
    - 解决方案:在电路设计时确保散热措施有效,监测MOSFET的工作温度,并在必要时增加散热装置。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET 以其优异的性能和可靠性,在多种应用中表现出色。它不仅具有低导通电阻和快速开关速度,还通过严格的生产和测试流程确保了高可靠性。如果您正在寻找高效、可靠的MOSFET,强烈推荐选择这款产品。

95N03-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

95N03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

95N03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 95N03-VB 95N03-VB数据手册

95N03-VB封装设计

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