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IRF610STRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF610STRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF610STRR-VB

IRF610STRR-VB概述

    IRF610STRR Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:
    IRF610STRR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于表面贴装技术 (Surface Mount)。
    主要功能:
    - 高速开关
    - 动态 dv/dt 评级
    - 重复雪崩等级
    - 易于并联
    - 简单的驱动要求
    应用领域:
    广泛应用于开关电源、直流电机驱动、汽车电子、工业自动化、消费电子等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 200 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.30 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 43 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 7.0 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 23 | nC |
    | 连续漏电流 (ID) | 10 | A |
    | 脉冲漏电流 (IDM) | 36 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 250 | mJ |
    | 重复雪崩电流 (IAR) | 9.0 | A |
    | 重复雪崩能量 (EAR) | 7.4 | mJ |
    | 雪崩击穿电压温度系数 (ΔVDS/TJ)| -0.24 | V/°C |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 | V |

    产品特点和优势


    - 环保认证:无卤素(符合 IEC 61249-2-21 定义)和符合 RoHS 指令 2002/95/EC,确保环境友好。
    - 高可靠性:具有高耐压和低导通电阻,能够承受高瞬态电压和电流冲击。
    - 高效能:低输入电容和输出电容有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 易于驱动:简单的驱动要求使得该 MOSFET 在多种应用中易于集成和使用。
    - 热管理:优秀的热阻抗特性使得其在高功率应用中表现优异。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:用于转换和调节不同电压。
    - 直流电机驱动:提供精确的控制和稳定的驱动性能。
    - 汽车电子:例如车载充电器和 DC/DC 转换器。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计以避免热失控。
    - 使用适当的驱动电路来控制门极电压,防止过高的 dv/dt 导致损坏。
    - 在高电流应用中,注意布局中的寄生电感,以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 采用 D2PAK (TO-263) 封装,与常见的 PCB 布局兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术手册和在线支持,便于用户进行故障排除和系统集成。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 发热量大。
    - 解决方案:增加散热片,优化 PCB 散热设计。
    2. 问题:开关损耗高。
    - 解决方案:优化驱动电路,减少开关频率。
    3. 问题:门极电压不稳定。
    - 解决方案:检查门极电阻,使用合适的驱动器。

    总结和推荐


    总结:
    IRF610STRR 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备出色的电气特性和强大的热管理能力。其环保认证、简易驱动和广泛的适用范围使其成为众多电子应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐在需要高效率、高可靠性和良好热管理的应用中使用 IRF610STRR。无论是电源转换还是电机驱动,它都能提供卓越的性能和可靠性。

IRF610STRR-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF610STRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF610STRR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF610STRR-VB IRF610STRR-VB数据手册

IRF610STRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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