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J637-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J637-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J637-TL-E-VB

J637-TL-E-VB概述


    产品简介


    P-Channel 100 V MOSFET
    本产品是一款P沟道MOSFET,具备优秀的电气特性和稳定性。其主要功能包括作为电源开关和直流/直流转换器的关键部件。由于其高可靠性、低功耗及广泛的温度适用范围,该MOSFET在电源管理和电信设备中得到广泛应用。

    技术参数


    - VDS(击穿电压):100 V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - 在VGS = -10 V时为0.250 Ω
    - 在VGS = -4.5 V时为0.280 Ω
    - ID(连续漏极电流):-8.8 A
    - Qg(总栅极电荷):
    - 在VGS = -10 V时为23.2 nC
    - 在VGS = -4.5 V时为11.7 nC
    - 工作温度范围:-55 °C 到 150 °C
    - 封装:TO-252

    产品特点和优势


    1. 高性能TrenchFET® Power MOSFET技术:确保高效率和低损耗。
    2. 100% Rg和UIS测试:保证产品质量和可靠性。
    3. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,环保且安全。
    4. 符合RoHS指令:适用于所有合规电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该P-Channel MOSFET适用于多种电源管理场合,如直流/直流转换器和高功率开关电路。例如,在电池充电器中作为开关管,可以显著提高系统的能效。
    使用建议
    - 确保在使用时,漏源电压不超过100 V。
    - 为了延长使用寿命,建议不要超过额定的连续漏极电流(8.8 A)。
    - 尽量减少瞬态电流,以避免过载损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准的TO-252封装,与大多数主流电路板兼容。VBsemi提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免过热?
    解决方案:通过使用合适的散热片和合理的电路布局来降低工作温度,从而避免过热现象。
    问题2:如何进行适当的安装?
    解决方案:参照技术手册中的安装指南,确保连接正确并固定好散热装置。

    总结和推荐


    这款P-Channel 100 V MOSFET凭借其高可靠性、低损耗和广泛的应用范围,成为一款值得推荐的产品。无论是用于电源管理还是直流/直流转换器,其出色的性能都能满足各种复杂需求。因此,强烈推荐将其用于需要高性能MOSFET的应用场合。

J637-TL-E-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 188mΩ@10V,195mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.77V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个P沟道
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J637-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J637-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J637-TL-E-VB J637-TL-E-VB数据手册

J637-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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