处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFWZ44ATM-VB

IRFWZ44ATM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: IRFWZ44ATM-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFWZ44ATM-VB

IRFWZ44ATM-VB概述

    IRFWZ44ATM-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFWZ44ATM-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V(D-S)MOSFET。其设计适用于表面贴装技术(SMT),并采用D2PAK封装(TO-263)。这款产品符合RoHS指令2002/95/EC,并且无卤素,符合IEC 61249-2-21标准定义。主要应用于电源转换、电机驱动和其他需要高效开关性能的场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\):60V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±10V
    - 连续漏极电流(\(TC = 25°C\)):50A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):200A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):400mJ
    - 最大功率耗散(\(TC = 25°C\)):150W
    - 热阻(结到环境):62°C/W
    - 最大结温:175°C
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\):60V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\):1.0 - 3.0V
    - 零栅电压漏极电流 \(I{DSS}\):25μA(\(V{DS} = 60V, V{GS} = 0V\))
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):0.032Ω(\(V{GS} = 10V\)),0.035Ω(\(V{GS} = 4.5V\))
    - 动态特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\):3000pF
    - 输出电容 \(C{oss}\)
    - 反向转移电容 \(C{rss}\)
    - 总栅电荷 \(Qg\)

    产品特点和优势


    - 逻辑级门驱动:允许使用较低电压进行控制,便于与其他逻辑电路接口。
    - 快速开关:适合高频开关应用,如电源转换和电机控制。
    - 无卤素:满足环境保护要求,适合绿色电子应用。
    - 高温性能:可承受高达175°C的工作温度,适用于恶劣环境。
    - 高可靠性:通过严格的热阻测试,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:IRFWZ44ATM-VB 可以用于DC-DC转换器中,实现高效能的电压调节。
    - 电机驱动:适用于电动机控制和驱动,特别是在变频器中。
    - 储能系统:可以用于电池管理系统中,提高系统的响应速度和效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。
    - 为了提高效率,建议优化电路布局,减少杂散电感,保证良好的接地平面。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的SMT设备兼容,适合广泛的应用场景。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持文档和售后服务,包括技术咨询、故障排查等。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重。
    - 解决办法:增加散热片,优化电路布局,确保良好的散热通道。
    - 问题2:开关时间不稳定。
    - 解决办法:检查驱动信号是否正常,调整驱动电阻,确保稳定的驱动条件。

    总结和推荐


    IRFWZ44ATM-VB 在多个关键参数上表现出色,具备逻辑级门驱动、快速开关等特性,适用于多种工业应用。其高温性能和无卤素环保特性使其在市场上具有显著的竞争优势。综合考虑其性能和适用范围,我们强烈推荐使用此产品。

IRFWZ44ATM-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFWZ44ATM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFWZ44ATM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFWZ44ATM-VB IRFWZ44ATM-VB数据手册

IRFWZ44ATM-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 27.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0