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UK4145L-TQ2-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: UK4145L-TQ2-R-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UK4145L-TQ2-R-VB

UK4145L-TQ2-R-VB概述

    UK4145L-TQ2-R MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UK4145L-TQ2-R 是一种由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其额定电压为 60V(D-S)。这款 MOSFET 主要用于电力转换、驱动电机以及其他需要高电流控制的应用场合。它具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,使其成为许多工业和消费电子应用的理想选择。

    技术参数


    以下为该 MOSFET 的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDS): 60V
    - 连续漏极电流 (ID): 150A(TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 350A(脉宽≤300μs,占空比≤2%)
    - 零栅源电压时漏极电流 (IDSS): ≤50μA(TC=125°C),≤250μA(TC=175°C)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - 4mΩ(VGS=10V,TC=25°C)
    - 6mΩ(VGS=10V,ID=30A,TC=25°C)
    - 12mΩ(VGS=10V,ID=30A,TC=125°C)
    - 15mΩ(VGS=10V,ID=30A,TC=175°C)
    - 输入电容 (Ciss): ≤7000pF(VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 715pF
    - 反向传输电容 (Crss): 360pF
    - 总栅电荷 (Qg): ≤145nC(VGS=10V,VDS=30V,ID=75A)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术: 高效能、低电阻设计,提高整体性能。
    2. 低热阻封装: 有效散热,延长使用寿命。
    3. 100% Rg 和 UIS 测试: 确保质量和可靠性。

    应用案例和使用建议


    这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电池充电、电机驱动等领域。具体使用建议如下:
    1. 电源管理: 由于其高效率和低导通电阻,非常适合用于各种开关电源的设计中。
    2. 电池充电: 可以用于高效能电池充电电路,减少发热并提升充电速度。
    3. 电机驱动: 具备快速响应能力和低导通电阻,适合驱动各种电机,如步进电机和直流电机。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 采用 TO-263(D2PAK)封装,易于安装和散热。与大部分主流电路板和电源系统具有良好的兼容性。VBsemi 提供详细的使用手册和技术支持,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - Q: 温度对 MOSFET 性能的影响?
    - A: MOSFET 在高温环境下性能会有所下降,需注意散热设计。
    - Q: 导通状态电阻随温度变化如何?
    - A: 随着温度升高,RDS(on)会逐渐增加。建议根据具体应用需求选择合适的工作温度范围。
    - Q: 如何测试 MOSFET 的阈值电压?
    - A: 可通过专用测试仪器测量,或者参考手册中的测试条件进行手动测量。

    总结和推荐


    UK4145L-TQ2-R MOSFET 以其出色的性能、高效的功率处理能力和广泛的应用范围,成为众多工程师的选择。其低导通电阻、高电流处理能力和优异的散热性能使其在电力管理和驱动应用中表现出色。强烈推荐给寻求高性能 MOSFET 的用户。

UK4145L-TQ2-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 150A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UK4145L-TQ2-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UK4145L-TQ2-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UK4145L-TQ2-R-VB UK4145L-TQ2-R-VB数据手册

UK4145L-TQ2-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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