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ZVN2120GTC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,1A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: ZVN2120GTC-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN2120GTC-VB

ZVN2120GTC-VB概述

    ZVN2120GTC N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZVN2120GTC 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。该产品具有动态 dv/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关、并联简易以及简单的驱动要求等特点。适用于电机控制、电源转换器、逆变器和其他需要高效开关的电力电子产品。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):200V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏电流 (ID):1.0A @ TC = 25°C, 0.8A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏电流 (IDM):5.0A
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:5.0V/ns
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V 时 1.2Ω
    - 门电荷 (Qg):最大 8.2nC
    - 门-源电荷 (Qgs):1.8nC
    - 门-漏电荷 (Qgd):4.5nC
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):-40°C/W
    - 最大结到壳体热阻 (RthJC):-60°C/W

    产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 额定值:允许在高电压下进行快速开关操作,适合高频开关应用。
    - 重复雪崩额定值:可以在短时间内承受高能量脉冲,增加了可靠性。
    - 快速开关:具有低导通电阻和快速切换时间,有助于提高效率和减少功耗。
    - 易于并联:可以轻松实现多个 MOSFET 的并联操作,提高输出电流能力。
    - 简单的驱动要求:降低了驱动电路的设计复杂度,节省成本。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电机控制器:用于直流电机调速。
    - 逆变器:用于太阳能发电系统的逆变过程。
    - 电源转换器:用于开关电源设计中的功率转换。
    - 使用建议:
    - 在高频开关应用中,确保电路设计满足快速开关的要求,以减少损耗。
    - 在并联 MOSFET 时,尽量保持各器件之间的阻抗匹配,避免因电流分配不均而引发过热。
    - 使用低电感布局设计,减少杂散电感带来的负面影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品支持标准的 SOT-223 封装,可与同类封装的产品互换。

    - 支持:
    - 生产商提供详细的技术手册和相关技术支持,确保客户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:导通电阻过高,导致发热严重。
    - 解决方案:检查 VGS 是否足够高以确保 MOSFET 完全导通;检查电路布局,减少杂散电感的影响。

    - 问题二:出现异常高温。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确认 PCB 的散热面积足够大;检查负载情况,确保不会超过 MOSFET 的最大额定值。

    总结和推荐


    ZVN2120GTC N-Channel MOSFET 在设计上具有优异的动态特性、可靠性和易于驱动的特点。适用于多种电力电子应用,特别是在高频开关和电机控制领域。强烈推荐给需要高效能、高可靠性的电子工程师和系统设计师。通过仔细阅读技术手册和合理设计电路,可以充分发挥其出色的性能。

ZVN2120GTC-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Id-连续漏极电流 1A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN2120GTC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN2120GTC-VB数据手册

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ZVN2120GTC-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
2500+ ¥ 1.3243
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