处理中...

首页  >  产品百科  >  HM12N60-VB

HM12N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: HM12N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM12N60-VB

HM12N60-VB概述

    # HM12N60-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    HM12N60-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高性能和高可靠性。它广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)及工业照明等领域。
    主要功能
    - 低阈值电压
    - 高速开关
    - 低栅极电荷
    - 优异的反向恢复特性
    - 低输入电容
    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关电源
    - 功率因数校正
    - 照明系统(如 HID 和荧光灯)
    - 工业设备

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 186 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 21 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD | 123 | W |
    | 结温与存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 +150 | °C |
    规格参数(TJ=25°C)
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 μA | 2 | - | 4 | V |
    | 开启电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 4 A | - | 0.123 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz | - | 147.1 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | - | pF |
    | 有效输出电容,时间相关 | Co(tr) | - | - | - | - | - |
    | 总栅极电荷 | Qg | VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V | - | - | 21 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | - | - | - | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | - | - | - | nC |

    产品特点和优势


    HM12N60-VB 具有多种优势:
    - 低阈值电压:使得 MOSFET 可以在较低的驱动电压下工作,有助于降低功耗和简化电路设计。
    - 低输入电容 (Ciss):减小了开关损耗,提高了工作效率。
    - 减少的切换和传导损失:通过降低栅极电荷和栅极-源极电荷,显著减少了能耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):缩短了开启时间,增强了系统的响应速度。
    - 雪崩能量评级:在极端条件下也能稳定工作,提供了更高的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源:HM12N60-VB 在服务器和电信电源中的广泛应用表明其具备高度可靠性和高效能。例如,在电信基础设施中,它可以帮助降低能耗并提高效率。
    - LED 照明:在荧光灯和 HID 照明系统中,HM12N60-VB 的高效转换能力可以提供更好的亮度控制和更低的成本。
    使用建议
    - 在设计开关电源时,考虑到 HM12N60-VB 的低栅极电荷和高效的开关性能,应优化 PCB 设计,确保低杂散电感和良好的接地平面,以进一步提升性能。
    - 在照明应用中,建议利用其快速开关和低导通损耗的特点来实现更精确的电流控制。

    兼容性和支持


    兼容性
    HM12N60-VB 与标准 TO-220AB 封装兼容,适用于多种不同的 PCB 设计。其内部封装设计保证了良好的热管理,且在高压环境下表现出色。
    支持和维护
    VBsemi 公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排除手册。如有任何技术问题,可以通过服务热线 400-655-8788 联系公司获得帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 开机时出现过流保护
    - 解决方案:检查电路连接,确保电源和负载之间的阻抗匹配正确。
    2. 运行时温度过高
    - 解决方案:改善散热措施,确保良好通风,并考虑使用更大的散热片。
    3. 开关频率不稳定
    - 解决方案:确认电路中无杂散电感,并优化栅极驱动电路的设计。

    总结和推荐


    HM12N60-VB 是一款专为高要求电源应用设计的高性能 N 沟道 MOSFET。它的低导通电阻、低输入电容和优秀的开关特性使其成为现代电源系统中的理想选择。总体而言,推荐此产品用于各种高可靠性、高性能需求的应用场合。无论是在服务器、电信设备还是照明系统中,HM12N60-VB 都能发挥出色的性能和可靠性。

HM12N60-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HM12N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM12N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM12N60-VB HM12N60-VB数据手册

HM12N60-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336