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JCS2N65CB-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS2N65CB-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N65CB-O-C-N-B-VB

JCS2N65CB-O-C-N-B-VB概述

    N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品名称: JCS2N65CB-O-C-N-B-VB
    产品类型: N-Channel MOSFET
    主要功能: 高效能开关,适用于电力转换系统、电机控制、通信电源等领域。
    应用领域: 可用于电动车充电器、光伏逆变器、服务器电源等。

    2. 技术参数


    - 耐压能力: VDS = 650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 4Ω (VGS = 10V, ID = 1A)
    - 总栅极电荷 (Qg): 11nC
    - 栅极电容 (Ciss): 417pF
    - 输出电容 (Coss): 45pF
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 2.3nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 5.2nC
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 8A
    - 最大单次脉冲雪崩能量 (EAS): 165mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 45W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 有助于简化驱动要求,减少能耗。
    - 增强型栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性: 提高了器件在高压下的可靠性。
    - 全参数测试: 包括电容、雪崩电压和电流。
    - 符合RoHS标准: 确保环保合规。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动车充电器: 利用其高耐压能力和低导通电阻来实现高效能的电源转换。
    - 光伏逆变器: 在需要高压、高频操作的环境中提供可靠的开关性能。
    - 服务器电源: 适用于数据中心等高可靠性需求的场合。
    使用建议:
    - 确保散热良好: 由于高功率耗散,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 优化驱动电路: 使用低驱动电阻 (RG) 以减少开关损耗。
    - 注意栅极过压保护: 为了防止栅极损坏,建议增加栅极钳位电路。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准的 TO-220AB 封装兼容,方便集成到现有的设计中。
    - 支持和服务: 厂商提供详细的技术文档和支持服务,如热管理指南和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 减少开关频率,增加散热片面积。 |
    | 栅极驱动电压不稳 | 使用稳压电路,确保驱动电压稳定。 |
    | 输出电流不足 | 检查电源输入电压是否符合要求,确保足够的驱动电流。 |

    7. 总结和推荐


    产品优点:
    - 高耐压能力: 适用于高压应用。
    - 低导通电阻: 有助于提高能效。
    - 增强型可靠性: 经过严格的雪崩和动态 dV/dt 测试,确保长期可靠运行。
    - 环保合规: 符合RoHS标准。
    推荐使用:
    基于上述分析,此款 N-Channel 650V MOSFET 是一款非常适合用于电力转换系统、电机控制和通信电源等领域的高性能产品。建议在选择电源管理系统或电力转换设备时考虑使用此型号的产品,以提升整体系统的性能和可靠性。

JCS2N65CB-O-C-N-B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

JCS2N65CB-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N65CB-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N65CB-O-C-N-B-VB JCS2N65CB-O-C-N-B-VB数据手册

JCS2N65CB-O-C-N-B-VB封装设计

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