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9406M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: 9406M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9406M-VB

9406M-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的N沟道功率MOSFET,主要用于高边同步整流应用。它适用于笔记本电脑CPU核心电源管理等高要求场合。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),保证了高效的开关性能和较低的功耗。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(ID): 13A @ 25°C, 9A @ 70°C
    - 脉冲漏电流(IDM): 45A
    - 击穿电压(VDS): 30V @ ID=250μA
    - 体二极管正向电压(VSD): 0.8V 至 1.2V @ ID=9A
    - 特性:
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.008Ω @ VGS=10V, 0.011Ω @ VGS=4.5V
    - 栅极电荷(Qg): 6.1nC @ VGS=10V, 10.2nC @ VGS=5V
    - 输入电容(Ciss): 800pF @ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
    - 输出电容(Coss): 165pF
    - 反转转移电容(Crss): 73pF
    - 转导率(gfs): 50S @ VDS=15V, ID=10A

    产品特点和优势


    - Halogen-free: 无卤素材料,满足环保要求。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用TrenchFET技术,提供更高的电流密度和更低的导通电阻。
    - Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation: 专门设计用于高边同步整流操作,提高了系统的整体效率。
    - 100% Rg and UIS tested: 全部经过Rg和UIS测试,确保了可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 笔记本电脑CPU核心电源管理
    - 高边开关应用
    - 使用建议:
    - 为了确保最佳性能,应在规定的电压范围内使用该MOSFET,避免超压操作。
    - 在高电流情况下,注意散热问题,以保持在安全温度范围内运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 与大多数标准SO-8封装电路板兼容。
    - 支持:
    - 官方技术支持,可通过服务热线(400-655-8788)联系。
    - 提供详细的技术手册和设计指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过温保护?
    - A: 确保散热设计合理,使用外部散热器可以有效降低结点温度。
    - Q: 如何测量RDS(on)?
    - A: 使用多用电表,在指定的VGS下进行测量。
    - Q: 为什么ID会随着温度变化而变化?
    - A: 温度会影响半导体材料的性质,因此RDS(on)也会随温度变化而变化。使用热敏电阻或其他温度监测设备来监控并控制温度。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,特别适合高边同步整流应用。它具有出色的导通电阻和栅极电荷特性,能够在多种应用场景中提供高效能表现。推荐用于需要高效率和可靠性电源管理的系统,例如笔记本电脑和其他便携式设备。

9406M-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 11A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9406M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9406M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9406M-VB 9406M-VB数据手册

9406M-VB封装设计

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