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J314-01S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J314-01S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J314-01S-VB

J314-01S-VB概述


    产品简介


    本手册介绍了型号为J314-01S的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。这种MOSFET具有高效的开关性能,适用于各种负载开关应用。其核心优势在于高可靠性和出色的热性能,使其成为工业和消费电子应用中的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 \(V{DS}\):60 V
    - 最大连续漏电流 \(ID\) (TJ = 175 °C):-30 A
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 热阻抗 \(R{thJC}\):5 °C/W (稳态)

    - 电气特性:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = -10 \, V\),\(ID = -5 \, A\):0.100 Ω
    - \(V{GS} = -4.5 \, V\),\(ID = -2 \, A\):0.072 Ω
    - 栅极电荷 \(Qg\):10 nC (典型值)
    - 上升时间 \(tr\):15 ns (典型值)
    - 下降时间 \(tf\):8 ns (典型值)

    产品特点和优势


    - 独特的TrenchFET®技术:提供低导通电阻和高可靠性。
    - 全雪崩测试:保证器件在极端条件下的可靠性。
    - 出色的热性能:热阻抗低,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:J314-01S广泛应用于负载开关,例如电机控制、LED驱动器和电源管理等场合。
    使用建议
    - 在使用过程中,需要特别注意电路设计中的散热措施,以避免因过热而导致性能下降。
    - 考虑到其优异的导通电阻和栅极电荷特性,建议在高频率和大电流应用中采用该器件。

    兼容性和支持


    - J314-01S采用标准TO-252封装,方便安装和焊接。
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括在线文档、常见问题解答和专业工程师支持。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确定器件的最大工作温度?
    - A:查阅技术手册,确保工作温度不超过175°C。
    - Q:出现过温现象时怎么办?
    - A:采取外部冷却措施,如增加散热片或风扇。

    总结和推荐


    J314-01S是一款高性能的P沟道功率MOSFET,具备出色的导通电阻和可靠的雪崩测试结果。其独特的TrenchFET®技术使它在多种应用场景中表现出色。如果你正在寻找一款高性能且稳定的负载开关解决方案,J314-01S将是不二之选。我们强烈推荐该产品用于各种高可靠性要求的应用中。

J314-01S-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 38A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J314-01S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J314-01S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J314-01S-VB J314-01S-VB数据手册

J314-01S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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