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HUFA75639S3ST-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: HUFA75639S3ST-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA75639S3ST-VB

HUFA75639S3ST-VB概述

    电子元器件技术手册:Power MOSFET
    本文将对一种型号为HUFA75639S3ST的Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)进行全面的技术介绍,包括产品概述、技术参数、产品特点和优势、应用案例及使用建议、兼容性和支持以及常见问题及其解决方案。最后,我们将对该产品进行综合评估并提供推荐意见。

    1. 产品简介


    产品类型: Power MOSFET
    主要功能:
    - 用于高效率的开关电源、电机驱动器和其他电力控制电路。
    - 支持低功耗操作和快速切换能力,减少能源损耗和热耗散。
    - 具有高可靠性,能够承受恶劣的工作环境。
    应用领域:
    - 适用于各种电力转换系统,如太阳能逆变器、汽车电子系统、工业自动化设备和家用电器等。

    2. 技术参数


    - 额定电压: VDS = 100 V
    - 最大连续漏极电流: ID = 70 A (TC = 25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流: IDM = 250 A
    - 最大单脉冲雪崩能量: EAS = 580 mJ
    - 最大重复雪崩能量: EAR = 13 mJ
    - 最大零栅极电压漏极电流: IDSS = 25 μA (VDS = 100 V)
    - 导通电阻: RDS(on) = 0.020 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷: Qg = 70 nC
    - 栅极-源极电荷: Qgs = 13 nC
    - 栅极-漏极电荷: Qgd = 39 nC
    - 绝对最高额定温度: TJ, Tstg = -55 to +150 °C
    - 工作温度范围: -55 至 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 无卤材料: 符合IEC 61249-2-21标准定义。
    - 表面贴装和低轮廓通过孔两种封装方式。
    - 快速开关能力: 可实现高效能开关。
    - 全雪崩测试认证: 提高可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS标准: 确保环保和健康安全。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在太阳能逆变器中作为关键电力转换组件,提高转换效率。
    - 在电动车辆中作为电池管理系统的一部分,确保稳定供电。
    使用建议:
    - 需要确保良好的散热设计以避免过热。
    - 在高温环境中使用时应注意监测温度变化,以防止因过热而导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与多种电路设计兼容,可用于多种不同类型的电力控制应用。
    支持:
    - 提供详细的技术手册和用户指南。
    - 通过官网提供在线技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题1: 电源转换效率不高。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确保所有组件都在规定的工作范围内运行。
    常见问题:
    - 问题2: 设备过热。
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或采用更有效的散热设计。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - HUFA75639S3ST是一款高性能、可靠且环保的Power MOSFET产品。
    - 该产品具备快速开关能力、高耐压和电流处理能力,适用于多种电力控制应用。
    推荐意见:
    - 强烈推荐在需要高效电力转换的应用中使用该产品。特别是在太阳能逆变器、电动汽车电池管理等领域,HUFA75639S3ST表现出色。

HUFA75639S3ST-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUFA75639S3ST-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA75639S3ST-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA75639S3ST-VB HUFA75639S3ST-VB数据手册

HUFA75639S3ST-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
800+ ¥ 3.6425
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