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NCE40P40D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-60A,RDS(ON),12.8mΩ@10V,15.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO-263
供应商型号: NCE40P40D-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE40P40D-VB

NCE40P40D-VB概述

    NCE40P40D P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE40P40D 是一款采用 TrenchFET® 技术的 P-Channel MOSFET,具备高可靠性和出色的电气特性。该产品主要应用于电源管理、电机控制和其他需要高电流开关的应用领域。其独特的设计使其成为电力电子系统中不可或缺的组件。

    技术参数


    - 电压范围:VDS(漏源电压)= -40 V
    - 导通电阻:
    - 在 VGS = -10 V 时,RDS(on) = 0.012 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V 时,RDS(on) = 0.015 Ω
    - 连续漏极电流:ID(漏极电流)= -60 A
    - 最大脉冲漏极电流:IDM(最大脉冲漏极电流)= -230 A
    - 最大功率耗散:
    - TA = 25 °C 时,PD = 3.5 W
    - TC = 25 °C 时,PD = 166 W
    - TC = 125 °C 时,PD = 65 W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg(结温和存储温度范围)= -55 °C 至 +175 °C
    - 热阻:
    - RthJA(结到环境热阻)= 50 °C/W
    - RthJC(结到外壳热阻)= 1.1 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低热阻封装:采用低热阻封装,保证了在高电流下的散热性能,延长了使用寿命。
    2. 100% Rg 和 UIS 测试:保证产品的质量和可靠性。
    3. 单脉冲雪崩电流和能量:IAS = -45 A,EAS = 80 mJ,适合在极端条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    NCE40P40D 在电源管理和电机控制系统中广泛应用。例如,在一个高频开关电源设计中,该 MOSFET 可以有效地管理大电流,确保系统的稳定运行。为了优化性能,建议在设计电路时选择合适的散热方案,并确保电路布局合理,避免寄生电容和电感的影响。

    兼容性和支持


    NCE40P40D 采用 D2PAK (TO-263) 封装,易于安装和焊接。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,帮助用户解决在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测量 MOSFET 的导通电阻?
    - 解答:可以使用万用表在合适的栅极电压下测量漏源之间的电阻。推荐值为在 VGS = -10 V 时,RDS(on) = 0.012 Ω。

    2. 问题:如何测试 MOSFET 的最大功率耗散?
    - 解答:可以使用热像仪测量 MOSFET 的表面温度,并结合热阻数据计算出最大功率耗散。具体公式为 PD = ΔT RthJA,其中 ΔT 是温差,RthJA 是热阻。

    总结和推荐


    NCE40P40D P-Channel MOSFET 在其技术规格和应用方面表现出色。其低热阻、高可靠性和出色的电气特性使其非常适合用于各种高电流开关应用。强烈推荐给那些需要高性能和高可靠性的电力电子系统设计师。
    通过以上分析可以看出,NCE40P40D 不仅在技术上具有显著优势,而且在实际应用中表现优异。对于寻求高效、可靠的 P-Channel MOSFET 的工程师来说,这是一个值得考虑的选择。

NCE40P40D-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12.8mΩ@10V,15.36mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE40P40D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE40P40D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE40P40D-VB NCE40P40D-VB数据手册

NCE40P40D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
800+ ¥ 2.6485
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