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NP80N03CDE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: NP80N03CDE-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N03CDE-VB

NP80N03CDE-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高效能的N沟道场效应晶体管,专为电源管理和电力转换应用设计。该产品采用了先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,具有出色的导通电阻和较低的开关损耗,使其成为服务器、OR-ing电路和DC/DC转换器的理想选择。这款MOSFET能够在严苛的工作环境下稳定运行,适用于各种高可靠性要求的应用场景。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 门源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 连续漏电流 | ID | - | - | 120 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 380 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 64.8 | mJ |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | 1 | - | 10 | μA |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | 0.003 | - | 0.004 | Ω |
    | 前向传输电导 | gfs | - | 160 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3100 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 725 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 370 | - | pF |
    | 总门极电荷 | Qg | 171 | - | 257 | nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS=10V 下为 0.003Ω,这使得其在高电流应用中表现出色。
    2. 高可靠性:经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保了其在极端条件下的稳定性。
    3. 环保认证:符合 RoHS Directive 2011/65/EU 标准,适用于无铅工艺。
    4. 快速开关特性:具有低门极电荷和优秀的开关性能,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于服务器电源管理中的 OR-ing 电路。
    - 在 DC/DC 转换器中作为开关元件。
    - 高性能的电池充电和放电控制。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应注意散热设计以避免过热。
    - 使用专用驱动电路,以减少门极噪声干扰。
    - 在使用过程中,注意确保门极电压不超过额定值(±20V)。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准电源管理系统兼容,能够直接替换同类型的 MOSFET。制造商提供详细的技术支持文档,包括设计指南和常见问题解答。如有需要,可联系厂商获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 加强散热设计,使用更大的散热片或增加风扇冷却。 |
    | 开关损耗大 | 减少门极电阻(Rg),降低开关时间。 |
    | 导通电阻高 | 确保门极电压达到标称值(如 10V),提高导通性能。 |

    总结和推荐


    NP80N03CDE 是一款高性能的 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,以其低导通电阻、高可靠性和出色的开关性能而著称。特别适用于需要高效、稳定工作的服务器、OR-ing 电路和 DC/DC 转换器中。综合考虑其技术规格和实际应用场景,强烈推荐在相关应用中使用此产品。

NP80N03CDE-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 120A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NP80N03CDE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N03CDE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N03CDE-VB NP80N03CDE-VB数据手册

NP80N03CDE-VB封装设计

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100+ ¥ 2.1597
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