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JCS3205C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: JCS3205C-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS3205C-VB

JCS3205C-VB概述

    JCS3205C-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    JCS3205C-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel 60V(D-S)功率场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET的主要功能是作为电子设备中的开关元件,适用于多种电子应用领域,如电源管理、电机控制、汽车电子、工业自动化等。该产品具备高可靠性、耐高温和低导通电阻等特点,能够在严苛的工作环境下稳定运行。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 60V
    - 最大漏源电流 (ID): 120A (TC = 25°C),连续漏源电流(TJ = 175°C)
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 1 μA(VDS = 60V,TJ = 125°C),最大250 μA(VDS = 60V,TJ = 175°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS = 10V时为5 mΩ,在VGS = 7.5V时为8 mΩ(ID = 15A)
    - 输入电容 (Ciss): 680 pF(VGS = 0V,VDS = 25V,f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 570 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 325 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 4 nC(VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 50A)
    - 峰值电流 (IS): 70A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 125 mJ(Duty Cycle ≤ 1%)
    - 热阻 (RthJA): 15°C/W(t ≤ 10秒),稳态为40°C/W
    - 最大功耗 (PD): 136 W(TC = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    JCS3205C-VB 的主要优势在于其超低的导通电阻和高可靠性,这使得它在各种应用场景中表现优异。具体来说:
    - 高耐温性:能够在-55°C到175°C的温度范围内稳定工作。
    - 高性能:低导通电阻确保了高效的功率转换,适合需要大电流的电路。
    - 低电容:输入电容和输出电容的值较低,可以减少开关损耗。
    - 高电流能力:能够承受高达120A的连续电流和350A的脉冲电流,适用于高功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:适用于高压直流电源转换器和整流器,由于其低导通电阻和高电流处理能力,能够有效降低功耗。
    - 电机驱动:在工业电机驱动器中,可用于实现高效的开关控制。
    - 电池充电器:可应用于电池充电电路中,提高充电效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到JCS3205C-VB的高耐温性,可以选择合适尺寸的散热器来避免过热。
    - 对于需要大电流的应用,建议进行详细的热设计以确保器件的长期稳定性。
    - 在使用过程中应注意不要超过绝对最大额定值,特别是在高温环境下要格外注意。

    5. 兼容性和支持


    JCS3205C-VB 具备标准的TO-220AB封装,便于安装和更换。VBsemi提供相应的技术支持和服务,确保用户能够顺利地集成到他们的系统中。此外,VBsemi还提供了详尽的技术文档和在线资源,以便用户参考和学习。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 器件在高温下失效。
    - 解决方案: 确保散热设计合理,安装散热片或风扇以保证良好的散热效果。

    - 问题2: 开关过程中出现较大的电磁干扰。
    - 解决方案: 增加合适的旁路电容以减小噪声,或者选择更低电容的器件型号。

    7. 总结和推荐


    总体来看,JCS3205C-VB 是一款具有高性价比的N-Channel MOSFET,适用于多种工业和商业应用。其出色的性能和可靠性使其成为设计高效能电子系统的理想选择。我们强烈推荐使用JCS3205C-VB,尤其是在需要高性能、可靠性和大电流处理能力的应用场合。

JCS3205C-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS3205C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS3205C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS3205C-VB JCS3205C-VB数据手册

JCS3205C-VB封装设计

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