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HUF75531SK8T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: HUF75531SK8T-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF75531SK8T-VB

HUF75531SK8T-VB概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高频率开关应用而设计。它具有出色的低栅极漏电特性,并且符合无卤素和RoHS标准。这种MOSFET主要用于电源转换电路中的初级侧开关,适用于各种工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    以下是该N-Channel MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 连续漏电流(TJ = 150°C) | ID | - | 9 | - | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | 40 | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | 30 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 112 | - | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 14 | - | W |
    | 热阻率(结至环境) | RthJA | 33 | - | 40 | °C/W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极漏电:该MOSFET的栅极漏电极低,有利于提高电路的整体效率。
    - 极端低Qgd:适合于高频开关应用,降低开关损耗。
    - 100% 测试:100%的Rg和Avalanche测试保证了产品质量。
    - 绿色环保:符合RoHS和无卤素标准,适合环保要求高的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    该N-Channel MOSFET常用于初级侧开关,如电源适配器、逆变器、LED驱动等。对于使用该MOSFET的应用,建议注意以下几点:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,以防止过热损坏。
    - 确保电路的设计合理,避免由于瞬态电流过大导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET符合JEDEC标准,易于与其他标准组件兼容。制造商提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET发热严重。
    - 解决方法:检查电路设计,确保散热良好,必要时增加散热片或外部冷却装置。
    2. 问题:开关损耗高。
    - 解决方法:检查驱动信号的频率和波形,确保符合MOSFET的最佳工作条件。
    3. 问题:产品失效。
    - 解决方法:确认使用环境是否超出绝对最大额定值范围,严格按照技术手册的要求进行使用。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 100 V MOSFET凭借其优异的电气特性和可靠性,在高频开关应用中表现出色。它不仅符合严格的环保标准,还通过全面的质量控制测试,确保了产品的稳定性和耐用性。总体而言,我们强烈推荐此产品给需要高效能开关解决方案的工程师和技术人员。
    如有任何疑问或需要更多技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

HUF75531SK8T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 9A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUF75531SK8T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF75531SK8T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF75531SK8T-VB HUF75531SK8T-VB数据手册

HUF75531SK8T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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