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J648-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-0.4A,RDS(ON),450mΩ@10V,540mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.45Vth(V) 封装:SC75-3
供应商型号: J648-VB SC75-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J648-VB

J648-VB概述

    J648-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    J648-VB 是一款P沟道20V (D-S) MOSFET,采用TrenchFET®技术制造。 该产品广泛应用于便携式设备中的负载/电源开关,驱动继电器、电磁铁和显示器,以及电池供电系统。通过提供快速切换速度和卓越的可靠性,J648-VB 在众多应用中表现出色。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):-20 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):-0.40 A
    - 脉冲漏极电流(t = 300 μs):-1.6 A
    - 最大功率耗散(TA = 70 °C):0.12 W
    - 工作结温及存储温度范围(TJ, Tstg):-55 至 +150 °C
    - 热阻抗(RthJA):530 °C/W(最大值)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = -10 V,ID = -0.4 A时为0.450 Ω
    - VGS = -4.5 V,ID = -0.2 A时为0.500 Ω
    - VGS = -2.5 V,ID = -0.1 A时为0.600 Ω
    - 输入电容(Ciss):45 pF(VDS = -10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss):-15 pF
    - 反向传输电容(Crss):-10 pF
    - 总栅极电荷(Qg):2.50 nC(VDS = -10 V,VGS = -4.5 V,ID = -0.4 A)

    产品特点和优势


    - 高效率:J648-VB 的低导通电阻 RDS(on) 确保了更高的效率,减少功率损耗。
    - 快速开关速度:具有出色的开关性能,适用于高频开关应用。
    - 高可靠性:所有产品均经过100%测试验证。
    - 广泛的温度适应性:可在极端环境下稳定工作,从-55 °C到+150 °C。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 便携式设备中的负载/电源开关:J648-VB 可用于便携式设备的电源管理,提供可靠的开关控制。
    - 驱动器:适用于驱动继电器、电磁铁和显示器。
    - 电池供电系统:J648-VB 的低功耗特性使其成为电池供电系统的理想选择。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保选用合适的散热方案以避免因高温导致的失效。
    - 注意 VGS 和 VDS 的限制,避免超过绝对最大额定值。
    - 使用 J648-VB 进行电源开关时,建议配合外部保护电路以增加系统稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:J648-VB 与标准的 SC-75A 封装兼容,易于集成到现有设计中。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,可随时解答用户的疑问和问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免 J648-VB 在高电流状态下过热?
    - 解决方案:采用合适的散热措施,如添加散热片或风扇,确保 MOSFET 在安全的工作温度范围内运行。
    2. 问题:在高速开关应用中,如何减少开关损耗?
    - 解决方案:利用 J648-VB 的低栅极电荷和快速开关特性,尽量减小 VGS 的波动时间和振铃效应。
    3. 问题:如何判断 MOSFET 是否损坏?
    - 解决方案:通过测量 RDS(on) 和 VGS(th) 来判断。如果这些参数超出手册中的典型值范围,则可能是 MOSFET 损坏。

    总结和推荐


    综合评估:
    - J648-VB 是一款高性能、高可靠性的 P沟道 MOSFET,适用于多种电子设备中的电源管理和负载开关应用。
    - 其出色的电气特性和耐用性使其成为市场上同类产品的佼佼者。
    推荐:
    - 强烈推荐 J648-VB 作为高性能 P沟道 MOSFET 的首选,特别是在需要高效能和高可靠性的应用场合。

J648-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 400mA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@10V,540mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SC-75-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J648-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J648-VB数据手册

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J648-VB封装设计

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