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IXTP60N10TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: IXTP60N10TM-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP60N10TM-VB

IXTP60N10TM-VB概述

    IXTP60N10TM-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IXTP60N10TM-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用 TrenchFET® 工艺制造,能够承受高达 175 °C 的结温,并且具有低热阻的封装。这款产品广泛应用于隔离式直流-直流转换器等领域,适用于各种高效率电力转换场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 备注 |
    |
    | 漏极-源极电压 (VDS) | 100 V
    | 栅极-源极电压 (VGS) | ±20 V
    | 持续漏极电流 (ID) | 70 A | 温度为 25 °C |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 145 A
    | 单脉冲雪崩电流 (I) | 3 A
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 60 mJ
    | 最大功耗 (PD) | 355 W | 温度为 25 °C |
    | 热阻 (RthJA) | 40 °C/W | 结到环境 |
    | 热阻 (RthJC) | 0.4 °C/W | 结到管壳 |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的 TrenchFET 技术,使得 MOSFET 具有更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 高温稳定性:能够在高达 175 °C 的结温下正常工作,适用于高温环境下的电力转换应用。
    - 低热阻封装:有效的散热设计保证了 MOSFET 在高功率应用中的稳定性和可靠性。
    - 严格测试:所有产品都经过严格的测试,确保了产品的可靠性和一致性。

    4. 应用案例和使用建议


    IXTP60N10TM-VB 主要应用于隔离式直流-直流转换器中。例如,在电源适配器、通信设备及工业控制系统中,这款 MOSFET 可以提高转换效率并减少发热。使用时建议将 MOSFET 安装在 1 英寸平方的 PCB 上(FR-4 材料),以确保良好的热传导效果。

    5. 兼容性和支持


    IXTP60N10TM-VB 与市场上大多数通用的 PCB 设计兼容。VBsemi 提供了全面的技术支持和服务,包括安装指南、使用手册以及售后技术支持,确保客户可以顺利地将产品集成到自己的系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 漏极电流过载怎么办?
    - A: 如果发现漏极电流超过最大值,请检查电路设计是否合理,确保电流不超过安全范围。
    - Q: 高温环境下运行温度如何控制?
    - A: 可以通过增加散热片或改进 PCB 设计来提高散热效果,从而保持 MOSFET 在正常工作温度范围内。
    - Q: 如何检测 MOSFET 是否损坏?
    - A: 使用万用表测量 MOSFET 的各引脚之间的阻值,如果出现异常,则可能已经损坏。

    7. 总结和推荐


    IXTP60N10TM-VB N-Channel 100-V MOSFET 具有出色的高温稳定性、低热阻封装以及高效的电力转换能力,是高性能电力转换应用的理想选择。考虑到其广泛应用领域和卓越的性能,强烈推荐在隔离式直流-直流转换器及其他高效率电力转换系统中使用该产品。

IXTP60N10TM-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP60N10TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP60N10TM-VB数据手册

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IXTP60N10TM-VB封装设计

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