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IRFS33N15DTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,55A,RDS(ON),35mΩ@10V,20Vgs(±V);4.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRFS33N15DTRPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS33N15DTRPBF-VB

IRFS33N15DTRPBF-VB概述

    # N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    N-Channel 150V MOSFET 是一款高性能的电源管理元器件,适用于各种开关应用。该产品采用 TrenchFET® 技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高工作温度范围(175°C),使其成为高效能开关的理想选择。
    主要功能
    - 高效率:低导通电阻和高速开关能力使得整体效率显著提升。
    - 高可靠性:宽泛的工作温度范围(-55°C 至 175°C)确保了在极端环境下的稳定运行。
    - 快速响应:短时延和快速上升时间保证了优异的动态性能。
    应用领域
    - 电源转换器:作为主侧开关管,用于 AC/DC 转换器和其他电源模块。
    - 马达驱动器:用于电机控制电路,提高电机驱动的效率和可靠性。
    - 逆变器:应用于太阳能逆变器、汽车电子等高可靠性要求的场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 150 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (TJ = 175°C): 45 A
    - 最大耗散功率 (TJ = 25°C): 160 W
    额定参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 15 A: 0.035 Ω
    - VGS = 7.5 V, ID = 10 A: 0.042 Ω
    - 输入电容 (Ciss):
    - VGS = 0 V, VDS = 25 V: 2200 pF
    - 输出电容 (Coss): 290 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 190 pF
    热阻率
    - 结至环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 0.9 °C/W

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术:提供极低的导通电阻和高效的热性能。
    - 高温耐受性:能够在高达 175°C 的温度下正常工作,适用于恶劣环境。
    - 新低热阻封装:降低热阻,提高散热效果,延长使用寿命。
    市场竞争力
    - 高性价比:结合高性能与低成本,为客户提供卓越的价值。
    - 广泛适用性:适用于多种电力电子应用,具有广泛的市场接受度。

    应用案例和使用建议


    实际应用
    - 开关电源:由于其高开关频率能力和低导通损耗,该 MOSFET 在开关电源中表现出色。
    - 直流电机驱动:快速开关时间和高电流处理能力使其适合于电机控制应用。
    使用建议
    - 散热设计:为了最大化 MOSFET 的性能,需要合理的散热设计,特别是考虑到其高热阻。
    - 驱动电路设计:确保栅极驱动电压合适,以避免过高电压导致的栅极氧化层损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该 MOSFET 与市场上常见的电源管理和电机控制电路兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    支持和维护
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和专业技术支持,帮助客户解决安装和调试过程中遇到的问题。
    - 售后保障:产品质量可靠,可提供完善的售后服务和保修政策。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    1. 高温烧毁
    - 解决办法:加强散热措施,如使用更大的散热片或改进空气流通。
    2. 开关损耗高
    - 解决办法:优化驱动电路设计,降低驱动电阻,减少开关损耗。
    3. 导通电阻高
    - 解决办法:确保 MOSFET 工作在额定条件范围内,尽量使用较低的栅极电压。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 150V MOSFET 凭借其高效率、高可靠性、快速响应等特点,非常适合应用于各种电力电子领域。其 TrenchFET® 技术和新低热阻封装使其在同类产品中具有明显的优势。
    推荐使用
    强烈推荐给需要高效率和高可靠性的电源转换、电机控制和逆变器应用的客户。该产品经过严格测试,性能稳定,且具有良好的市场反馈和客户评价。

IRFS33N15DTRPBF-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.7V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 55A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS33N15DTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS33N15DTRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS33N15DTRPBF-VB IRFS33N15DTRPBF-VB数据手册

IRFS33N15DTRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.9102
800+ ¥ 6.6223
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