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IRF3704STRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263\n适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
供应商型号: IRF3704STRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3704STRR-VB

IRF3704STRR-VB概述

    IRF3704STRR N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF3704STRR 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适用于多种电子设备和电路中。它具有出色的开关性能和低导通电阻(RDS(on)),使其成为高效能电源转换器、马达驱动器、汽车电子系统及其他高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    以下是 IRF3704STRR 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 70 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 250 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 33 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 54 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 71 | - | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |
    | 热阻 | RthJA | 50 | - | - | °C/W |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 功率 MOSFET:采用先进的沟槽工艺,使得器件具有更高的电流密度和更低的导通电阻。
    2. 低热阻封装:有效提升散热性能,确保长时间稳定工作。
    3. 全面测试:100% Rg 和 UIS 测试,保证产品的质量和可靠性。
    4. 宽广的工作温度范围:-55°C 到 +175°C,适用于极端环境条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    IRF3704STRR 可广泛应用于多种设备中,例如:
    - 电源转换器:由于其高效的开关性能,可以用于各种直流到直流转换器和交流到直流转换器中。
    - 马达驱动器:适用于工业控制和家电设备中的电机驱动。
    - 汽车电子系统:能够承受严苛的环境,如高温和振动,适用于汽车电源管理系统。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,应注意散热设计,以防止过热损坏。
    - 使用时要根据具体的应用场景选择合适的栅极驱动电压,以优化性能。

    兼容性和支持


    IRF3704STRR 采用 TO-220AB 和 TO-263 封装,与大多数标准的 PCB 设计兼容。制造商提供详尽的技术支持和文档,确保用户能够顺利地进行产品集成和应用开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的漏电流 | 检查电路板连接和驱动信号,确认没有短路或漏电。 |
    | 高温环境下器件失效 | 加强散热措施,如使用更大的散热片或增加散热风扇。 |
    | 驱动电压不合适 | 根据具体应用调整栅极驱动电压,确保在推荐范围内。 |

    总结和推荐


    IRF3704STRR 是一款具备高性能和广泛应用的 N-Channel MOSFET。它拥有卓越的开关特性和低导通电阻,适用于电源转换器、马达驱动器及汽车电子系统等多种应用场景。对于需要高性能、高可靠性的应用,强烈推荐使用这款 MOSFET。

IRF3704STRR-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.0V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3704STRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3704STRR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF3704STRR-VB IRF3704STRR-VB数据手册

IRF3704STRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
800+ ¥ 1.4911
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