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HFD6N60U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: HFD6N60U-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFD6N60U-VB

HFD6N60U-VB概述


    产品简介


    HFD6N60U 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的电子元器件具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的耐压能力(VDS),能够广泛应用于电源转换器、电机驱动器、逆变器等电力电子系统中。HFD6N60U 的主要功能是在电路中充当开关,用于控制电流的流动。

    技术参数


    以下是HFD6N60U的主要技术规格和性能参数:
    - 额定电压(VDS):650 V
    - 最大连续漏极电流(ID):4 A @ TC = 100°C
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):16 A
    - 最大功率耗散(PD):205 W @ TC = 25°C
    - 输入电容(Ciss):320 pF
    - 输出电容(Coss):75 pF
    - 栅极-源极电荷(Qgs):3 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):6 nC
    - 总栅极电荷(Qg):15 nC
    - 导通电阻(RDS(on)):0.95 Ω @ VGS = 10 V
    - 门限电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 阈值电压温度系数(ΔVDS/TJ):-0.6 mV/°C
    - 反向恢复时间(trr):180 ns @ TJ = 25°C, IF = 3.2 A, dI/dt = 100 A/μs
    - 工作环境温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 封装类型:TO-220AB、TO-252、TO-251

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):有助于降低驱动要求,简化设计。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:提供更可靠的性能。
    3. 全面的电容和雪崩电压及电流特性:保证了可靠的操作和测试条件。
    4. 符合RoHS指令:绿色环保,符合欧洲标准。

    应用案例和使用建议


    HFD6N60U 可以应用于多种电力电子系统,如电源转换器、电池充电器、太阳能逆变器等。在这些应用中,由于其高耐压能力和低导通电阻,它能够有效地减少能量损耗并提高系统效率。以下是一些使用建议:
    1. 散热管理:在高功率应用中,确保有效的散热措施,以避免过热。
    2. 驱动电路设计:根据手册中的建议设计合适的驱动电路,以获得最佳性能。
    3. 负载匹配:确保MOSFET的工作参数与负载匹配,以避免过载损坏。

    兼容性和支持


    HFD6N60U 与其他标准的电力电子元器件兼容,可以在大多数常见的电力电子系统中使用。厂商提供了详尽的技术文档和在线支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的温度导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:使用散热器或者强制风冷,确保良好的散热效果。
    2. 问题:不正确的驱动电压导致门极损坏。
    - 解决方案:使用适当的驱动电路,并按照手册建议进行调试。

    总结和推荐


    HFD6N60U 在技术参数和性能方面表现出色,特别适合于需要高耐压和低导通电阻的应用场合。其强大的栅极和雪崩鲁棒性使得它在恶劣环境下也能稳定运行。因此,对于那些需要高性能电力电子系统的工程师来说,HFD6N60U 是一个非常值得考虑的选择。我们强烈推荐此产品用于各种电力电子应用。

HFD6N60U-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HFD6N60U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFD6N60U-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFD6N60U-VB HFD6N60U-VB数据手册

HFD6N60U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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