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HUF76645P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: HUF76645P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF76645P3-VB

HUF76645P3-VB概述

    HUF76645P3-VB MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    HUF76645P3-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道100V(漏源极)175°C功率MOSFET。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和宽广的工作温度范围,适用于各种电源管理和电机控制应用。

    2. 技术参数


    HUF76645P3-VB的关键技术参数如下:
    - 额定电压 (VDS): 100V
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 连续漏极电流 (ID): 100A(在150°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 300A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 250W(自由空气条件)
    - 封装形式: TO-220AB

    3. 产品特点和优势


    HUF76645P3-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 高温稳定性: 最大结温达到175°C,使得该MOSFET适用于高温环境下工作。
    - 高可靠性: 符合RoHS指令,确保环保无毒。
    - 低导通电阻: 在不同电压和温度条件下,RDS(on)表现出优异的性能,例如在VGS=10V时为0.009Ω,在VGS=4.5V时为0.020Ω。
    - 高瞬态响应: 由于具备较低的输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss),使得该MOSFET具备良好的动态特性。

    4. 应用案例和使用建议


    HUF76645P3-VB MOSFET广泛应用于多种场合,例如电源管理和电机驱动。具体应用实例包括:
    - 开关电源: 利用其低导通电阻和高可靠性,减少功率损耗并提高效率。
    - 电机驱动: 适用于电动工具和工业设备中的电机驱动系统。
    建议在设计应用电路时,充分考虑其工作温度范围和功率耗散能力,以避免过热损坏。例如,当负载较大时,需要额外增加散热措施。

    5. 兼容性和支持


    HUF76645P3-VB MOSFET可与其他标准的TO-220封装器件直接互换使用,便于集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到问题能够得到及时解决。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 工作时温度过高
    - 解决方案: 增加散热片或采用更高效的散热方案。
    - 问题: 长时间使用后性能下降
    - 解决方案: 定期检查器件连接状态,保持良好的接触和冷却效果。
    - 问题: 开关频率较高导致功耗增加
    - 解决方案: 选用低输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)的器件,减少高频信号引起的功耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HUF76645P3-VB MOSFET凭借其出色的高温稳定性和低导通电阻,非常适合用于高要求的电源管理和电机驱动应用。其高可靠性、易于集成以及制造商提供的强大技术支持使其在市场上具备很强的竞争力。因此,强烈推荐该产品给那些需要高性能、高可靠性的电源管理或电机控制应用的设计者。

HUF76645P3-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUF76645P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF76645P3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF76645P3-VB HUF76645P3-VB数据手册

HUF76645P3-VB封装设计

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