处理中...

首页  >  产品百科  >  2N65G-TA3-T-VB

2N65G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 2N65G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N65G-TA3-T-VB

2N65G-TA3-T-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),型号为2N65G-TA3-T-VB。其额定电压为650V,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。此款MOSFET具有低栅极电荷、高耐冲击性能和全面的电容和雪崩特性描述,符合RoHS指令2002/95/EC的要求。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 门源漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 通态电阻 | RDS(on) | - | 4.0 | - | Ω |
    | 栅极充电量 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 门源电荷 | QGS | - | 2.3 | - | nC |
    | 门漏电荷 | QGD | - | 5.2 | - | nC |
    | 脉冲雪崩能量 | EAS | - | 165 | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | 45 | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)确保了简单的驱动要求。
    - 耐用性增强:改进了门极、雪崩和动态dv/dt的坚固性。
    - 全面特性描述:完全表征了电容和雪崩电压及电流。
    - RoHS合规:符合RoHS指令2002/95/EC标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:在开关电源中,2N65G-TA3-T-VB用于调节输出电压,提高能效。
    - 电机驱动:作为电机驱动器的一部分,用于控制电机的启动和停止。
    - 逆变器:用于太阳能逆变器中,将直流电转换为交流电。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免因过热导致的损坏。
    - 在选择驱动电路时,建议选用合适的门极电阻(RG),以确保MOSFET能够正常开启和关闭。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-220AB封装,易于安装且兼容广泛的驱动电路。制造商提供详细的安装指南和技术支持,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 为什么MOSFET会发热?
    - A: 发热可能是由于工作电压过高或负载电流过大造成的。建议增加散热措施,如使用散热片或风扇。
    2. Q: 为什么MOSFET在使用过程中会出现故障?
    - A: 可能是由于过压、过流或工作温度超出限制导致。建议检查外部电路设计,确保MOSFET在安全的工作范围内运行。

    总结和推荐


    2N65G-TA3-T-VB MOSFET凭借其低栅极电荷、高耐用性以及全面的特性描述,在多个应用领域展现出显著的优势。适用于需要高可靠性、稳定性和高性能的应用场合。强烈推荐在设计开关电源、电机驱动和逆变器等电路时考虑使用该产品。

2N65G-TA3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2N65G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N65G-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N65G-TA3-T-VB 2N65G-TA3-T-VB数据手册

2N65G-TA3-T-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0