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J626-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: J626-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J626-T1B-A-VB

J626-T1B-A-VB概述

    J626-T1B-A P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册



    产品简介




    J626-T1B-A 是一款由VBsemi公司生产的P沟道60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用隔离封装设计,能够提供高电压隔离能力,适用于多种电力电子应用,如电源管理、电机驱动和逆变器系统。


    技术参数




    - 电气特性
    - 漏源电压 \( V_{DS} \):-60V
    - 源漏通态电阻 \( R_{DS(on)} \):\( V_{GS} = -10V \) 时为 0.04Ω
    - 输入电容 \( C_{iss} \):\( V_{GS} = 0V \),\( V_{DS} = -25V \),\( f = 1.0 MHz \) 时为 270 pF
    - 输出电容 \( C_{oss} \):170 pF
    - 反向传输电容 \( C_{rss} \):31 pF
    - 总栅极电荷 \( Q_g \):\( V_{GS} = -10V \),\( I_D = -4.7A \),\( V_{DS} = -48V \) 时为 12 nC

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V_{DS} \):-60V
    - 栅源电压 \( V_{GS} \):±20V
    - 持续漏电流 \( I_D \):\( V_{GS} = -10V \),\( T_C = 25 °C \) 时为 -5.2A;\( T_C = 100 °C \) 时为 -3.8A
    - 脉冲漏电流 \( I_{DM} \):-21A
    - 最大功率耗散 \( P_D \):\( T_C = 25 °C \) 时为 27W
    - 峰值二极管恢复 \( dV/dt \):-4.5V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \( T_J, T_{stg} \):-55至+175°C


    产品特点和优势




    - 高隔离电压:2.5kVRMS(60Hz,60秒)
    - 低热阻:最大结点到环境热阻 \( R_{thJA} \) 为65°C/W
    - 动态dV/dt等级:-4.5V/ns
    - 宽工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 铅(Pb)-Free环保:符合RoHS标准
    - P-Channel设计:易于使用,适用于高压和高频应用


    应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 电源管理:用于直流电源转换和稳压电路
    - 电机驱动:用于电动机控制和驱动
    - 逆变器系统:适用于各种逆变器系统,如太阳能逆变器

    使用建议:
    - 确保散热良好,避免长时间在高温环境下运行,以延长使用寿命
    - 使用低杂散电感的电路布局设计,有助于减少电磁干扰


    兼容性和支持




    - 兼容性:J626-T1B-A 与常见的P-Channel MOSFET引脚定义一致,易于与其他电子元器件和设备兼容
    - 支持和服务:VBsemi公司提供技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中遇到问题时能够及时获得帮助


    常见问题与解决方案




    - 问题1:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解决方案:通过测量漏源电压 \( V_{DS} \) 和栅源电压 \( V_{GS} \),若测得结果不在正常范围内,则可能是MOSFET损坏
    - 问题2:如何提高MOSFET的工作效率?
    - 解决方案:确保电路布局合理,减少杂散电感和电阻,提高电路的整体效率
    - 问题3:如何正确焊接MOSFET?
    - 解决方案:遵循推荐的焊接温度曲线,在推荐的时间内进行焊接,以确保焊接质量


    总结和推荐




    J626-T1B-A是一款高性能的P沟道60V MOSFET,具有高隔离电压、低热阻和宽工作温度范围等特点。它在电源管理和电机驱动等领域表现出色,适用于各种高可靠性要求的应用场景。综合来看,J626-T1B-A是一款值得推荐的产品。对于需要高压、高可靠性的应用场合,该产品无疑是最佳选择之一。

J626-T1B-A-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 5.2A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J626-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J626-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J626-T1B-A-VB J626-T1B-A-VB数据手册

J626-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
3000+ ¥ 0.8284
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