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IXTP76N075T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: IXTP76N075T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP76N075T-VB

IXTP76N075T-VB概述

    IXTP76N075T-VB N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTP76N075T-VB 是一款 N 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET。该器件主要用于初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和 LED 背光等应用。作为一款高性能 MOSFET,它提供了卓越的功率处理能力和可靠性。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压(VDS):80 V
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 V
    - 漏极连续电流(TJ = 150 °C):28.6 A
    - 漏极脉冲电流(t = 100 μs):350 A
    - 源极-漏极二极管电流(TC = 25 °C):4.5 A
    - 单脉冲雪崩电流(IL = 0.1 mH):30 A
    - 单脉冲雪崩能量(TC = 25 °C):45 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 70 °C):120 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 150 °C
    - 典型特性:
    - 静态
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):80 V
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):2.0 至 3.5 V
    - 漏极连续电流(VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V):85 A
    - 导通状态漏极-源极电阻(VGS = 10 V, ID = 20 A):7 mΩ
    - 输出电荷(VDS = 40 V, VGS = 0 V):57 至 86 nC

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:提供低导通电阻和高电流能力。
    2. 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品可靠性和一致性。
    3. 广泛的应用范围:适用于多种电力转换和控制应用。
    4. 良好的热性能:提供稳定的热阻参数,适合长时间运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 初级侧开关:用于各种电源转换电路中。
    - 同步整流:提高效率,减少损耗。
    - 直流/交流逆变器:实现高效的功率转换。
    - LED 背光:提供稳定可靠的电流驱动。
    - 使用建议:
    - 在高电流应用中使用时,应注意散热设计,避免因过热导致的损坏。
    - 为了提高系统效率,可以考虑在高温环境下降低 VGS 设置,以减少功耗。
    - 在同步整流应用中,要保证栅极驱动信号的质量,避免振铃现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准 TO-220AB 封装的 MOSFET 具有良好的互换性。
    - 支持和维护:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括电话咨询服务和在线技术支持平台。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作时温度过高,如何解决?
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热片或风扇进行强制冷却。
    2. 问题:栅极驱动信号不稳定,如何改善?
    - 解决方案:确保栅极驱动信号的稳定性和质量,使用适当的门限电平调整电阻。
    3. 问题:启动时间过长,如何缩短?
    - 解决方案:优化栅极驱动电路,降低栅极电容。

    总结和推荐


    IXTP76N075T-VB N-Channel 80 V MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具有低导通电阻、高电流能力和优秀的热性能。适用于广泛的电力转换和控制应用,特别是在初级侧开关和同步整流方面表现出色。对于需要高可靠性和高效能的应用场合,这款 MOSFET 是一个理想的选择。强烈推荐在各类电源设计中使用。

IXTP76N075T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP76N075T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP76N075T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP76N075T-VB IXTP76N075T-VB数据手册

IXTP76N075T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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