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K3518-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3518-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3518-01MR-VB

K3518-01MR-VB概述

    # 高效N沟道Power MOSFET——VBsemi产品概述

    产品简介


    VBsemi公司推出了一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为服务器、电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明和工业应用设计。此产品不仅具备低导通电阻和低栅极电荷的特点,还能有效减少开关损耗和传导损耗,适用于高频、高效率的应用环境。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):最大值 1Ω @ 25°C,VGS = 10V
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 16nC
    - 输入电容 (Ciss):最大值 1000pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值 2.3μC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):最大值 4A @ VGS = 10V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值 860mJ
    - 最大功耗 (PD):120W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 焊接推荐温度 (峰值):300°C
    - 热阻抗
    - 结至环境的最大热阻抗 (RthJA):63°C/W
    - 结至管壳的最大热阻抗 (RthJC):0.6°C/W

    产品特点和优势


    该N沟道Power MOSFET具备以下优势:
    - 低FOM(Ron x Qg):降低总体开关损耗和传导损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):降低栅极驱动损耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg):减少开关时间,提高系统效率。
    - 耐雪崩能量:确保在极端条件下可靠运行。
    - 广泛的工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适应恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:实现高效能、低功耗的设计。
    - 开关模式电源 (SMPS):通过降低损耗提升整体转换效率。
    - 高亮度放电 (HID) 和荧光灯管照明:实现快速开关,减少闪烁。
    - 工业应用:提供稳定可靠的电力管理解决方案。
    使用建议
    - 在使用过程中注意散热设计,确保MOSFET在安全的工作温度范围内运行。
    - 使用合适的栅极驱动器,确保良好的开关性能。
    - 考虑到寄生电感的影响,合理布线以减少电路中的寄生效应。

    兼容性和支持


    该产品与各种标准SMPS和其他类型的开关电源兼容。制造商提供详细的技术支持和维修服务,包括:
    - 技术文档和数据手册
    - 客户技术支持热线:400-655-8788
    - 在线技术支持平台:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免过高的栅极电压导致损坏?
    - 解决方法:使用栅极保护电路,确保栅极电压不超过±30V。

    - 问题:MOSFET发热严重如何处理?
    - 解决方法:改善散热设计,使用大面积散热片或风扇强制冷却,保证结温低于150°C。

    - 问题:如何避免MOSFET在高频下工作时的振铃效应?
    - 解决方法:选择合适的栅极驱动器并进行合理的PCB布局,减少寄生电感和寄生电容的影响。

    总结和推荐


    VBsemi的这款N沟道Power MOSFET在诸多关键参数上表现出色,特别是在低FOM和超低栅极电荷方面具有显著优势。这些特性使其成为服务器、电信电源和工业应用的理想选择。对于需要高效、稳定电力管理系统的客户,我们强烈推荐使用这款MOSFET。

K3518-01MR-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3518-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3518-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3518-01MR-VB K3518-01MR-VB数据手册

K3518-01MR-VB封装设计

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