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KHB7D0N65F1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KHB7D0N65F1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB7D0N65F1-VB

KHB7D0N65F1-VB概述

    KHB7D0N65F1 N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KHB7D0N65F1 是一款高性能 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯镇流器)。此外,它也适用于各种工业应用。此产品设计以高效率和低损耗为特点,能显著提升电子设备的能效表现。

    2. 技术参数


    - 工作电压 (VDS):最大 650V,最高结温下 750V
    - 静态漏极-源极击穿电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大 0.06Ω (25°C)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 12nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):1.4nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):2.7nC
    - 输入电容 (Ciss):最大 1150 pF
    - 输出电容 (Coss):最大 60 pF
    - 反向转移电容 (Crss):最大 45 pF
    - 连续漏电流 (ID):在 25°C 下 100A,在 150°C 下 40A
    - 脉冲漏电流 (IDM):重复额定值
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):860mJ
    - 最大功率耗散 (PD):140W
    - 结到环境热阻 (RthJA):最大 63°C/W
    - 结到壳热阻 (RthJC):0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低阻抗与栅极电荷:KHB7D0N65F1 具有极低的导通电阻和栅极电荷,能够显著减少开关和导通损耗。
    - 高可靠性:通过严格的设计和制造流程,确保在高温和高电压条件下仍保持稳定的性能。
    - 高集成度:适合紧凑设计,降低整体系统成本。
    - 多功能性:适用范围广泛,适合多种高压应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:在服务器电源系统中,KHB7D0N65F1 能够实现高效能的电源转换;在荧光灯镇流器中,用于控制灯泡的启停和亮度调节。
    - 使用建议:在使用过程中应注意散热管理,以避免过热损坏。在设计电路时,考虑并联使用多个 MOSFET 以分散电流,增强稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:KHB7D0N65F1 采用标准 TO-220 FULLPAK 封装,与同类产品兼容,方便替换。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详细的技术文档和全面的售后服务,涵盖产品故障诊断、技术支持和更换咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:产品在高负载下发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或者使用外置风扇进行散热,同时检查电路设计,避免不必要电流。
    - 问题 2:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:确认驱动信号的电源电压稳定,并且检查布线和连接是否有松动。

    7. 总结和推荐


    KHB7D0N65F1 N-通道功率 MOSFET 凭借其出色的性能和多功能性,是高效能电子设备的理想选择。其在高效率和低损耗方面的卓越表现使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐将其用于服务器电源系统、荧光灯镇流器及其他高压应用场景。然而,使用前请务必仔细阅读技术手册,并按照推荐的条件操作以获得最佳效果。

KHB7D0N65F1-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB7D0N65F1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB7D0N65F1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB7D0N65F1-VB KHB7D0N65F1-VB数据手册

KHB7D0N65F1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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