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JCS840F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: JCS840F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS840F-O-F-N-B-VB

JCS840F-O-F-N-B-VB概述

    JCS840F-O-F-N-B-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    JCS840F-O-F-N-B-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统中的高能效应用,如高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统。此外,这款MOSFET也适用于各种工业设备,以其卓越的性能和可靠性在多个领域得到广泛应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏极-源极电压 \(V{DS}\) | 650V(最大值) |
    | 门极-源极电压 \(V{GS}\) | ±30V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 150°C) | \(ID\) = 9.4A (@TC = 100°C) |
    | 最大脉冲漏极电流 | \(I{DM}\) = 45A |
    | 最大功耗 \(PD\) | 3.6W/°C (线性降额因子) |
    | 单脉冲雪崩能量 | \(E{AS}\) = mJ |
    | 静态漏极-源极击穿电压 \(V{DS}\) | 650V (\(V{GS} = 0\), \(ID = 250 \mu A\)) |
    | 漏极-源极导通电阻 \(R{DS(on)}\) | 3Ω (@\(V{GS} = 10\ V\), \(ID = 8\ A\)) |
    | 输入电容 \(C{iss}\) | - (典型值) |
    | 输出电容 \(C{oss}\) | - (典型值) |
    | 反向传输电容 \(C{rss}\) | - (典型值) |
    | 总栅极电荷 \(Qg\) | 43nC (最大值) |
    | 栅极-源极电荷 \(Q{gs}\) | 5nC (典型值) |
    | 栅极-漏极电荷 \(Q{gd}\) | 22nC (典型值) |

    3. 产品特点和优势


    JCS840F-O-F-N-B-VB 在众多应用中具有明显的优势:
    - 低优值系数(FOM)\(R{on} \times Qg\):这使得MOSFET在工作时具有更低的功率损耗。
    - 低输入电容 \(C{iss}\):减少开关损耗,提高效率。
    - 减小的开关和导通损耗:有助于提升系统的整体能效。
    - 超低栅极电荷 \(Qg\):简化驱动电路设计,降低控制电路复杂度。
    - 浪涌能量等级 \(E{UIS}\):保证MOSFET在极端条件下的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    JCS840F-O-F-N-B-VB 广泛应用于各种电力转换系统中,如:
    - 服务器和电信电源:利用其高效能特点,满足高压直流电源的需求。
    - 开关模式电源(SMPS):适用于各种高频开关电源,如电脑电源适配器。
    - 功率因数校正(PFC)电源:优化电力传输效率,减少谐波污染。
    - 工业照明:适用于工业环境中的LED照明系统,提高能源利用率。
    使用建议:
    - 优化驱动电路:考虑到超低栅极电荷 \(Qg\),确保驱动电路匹配,以获得最佳性能。
    - 散热设计:鉴于较高的连续漏极电流,需要设计良好的散热系统,避免过热。

    5. 兼容性和支持


    JCS840F-O-F-N-B-VB 设计为兼容各种标准工业连接器,并且厂商提供了详尽的技术支持和售后保障。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确驱动JCS840F-O-F-N-B-VB?
    解决方案:确保栅极驱动电压在安全范围内,通常为10V左右,并且使用合适的驱动电阻,以防止过冲或欠冲。
    - 问题:如何处理MOSFET在高温下的散热问题?
    解决方案:使用散热片和风扇,确保适当的空气流通,或者考虑使用液冷散热系统。
    - 问题:如何检测MOSFET的工作状态?
    解决方案:使用万用表测量栅极-源极电压和漏极-源极电压,确保它们在正常工作范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,JCS840F-O-F-N-B-VB是一款具备卓越性能和可靠性的N-Channel 650V MOSFET。它的低优值系数、超低栅极电荷和高效的开关性能使其在多种应用中表现出色。鉴于其广泛的应用范围和技术优势,我们强烈推荐将其用于对电源管理和能效有较高要求的场合。如果您正在寻找高性能的电源管理解决方案,JCS840F-O-F-N-B-VB 将是您理想的选择。

JCS840F-O-F-N-B-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS840F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS840F-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS840F-O-F-N-B-VB JCS840F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS840F-O-F-N-B-VB封装设计

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