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JCS2N60VB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS2N60VB-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60VB-VB

JCS2N60VB-VB概述


    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的JCS2N60VB型N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有低栅极电荷(Qg)和简单的驱动需求,以及改进的栅极、雪崩及动态dv/dt耐久性。产品广泛应用于开关电源、电机驱动和电池管理系统等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): \(V{GS} = 10 \text{V}\)时为5Ω
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 11nC
    - 栅极源极电荷 \(Q{gs}\): 2.3nC
    - 栅极漏极电荷 \(Q{gd}\): 5.2nC
    - 电源电压 \(V{DD}\): \(V{DS} \leq 650 \text{V}\)
    - 工作环境温度范围 \(T{J, T{STG}}\): -55°C至+150°C
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 栅极源极电压 \(V{GS}\): ±30V
    - 持续漏电流 \(ID\) (\(TC = 25°C\)): 1.28A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 165mJ
    - 最大功耗 \(PD\) (\(TC = 25°C\)): 45W
    - 峰值二极管恢复dv/dt \(dV/dt\): 2.8V/ns
    - 热阻
    - 最大结点到环境的热阻 \(R{thJA}\): 65°C/W
    - 最大结点到外壳(漏极)的热阻 \(R{thJC}\): 2.1°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷结果为简单的驱动要求,有助于简化电路设计并降低整体功耗。
    - 改进的耐久性:改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐久性,确保在恶劣环境下稳定运行。
    - 全面的参数化特性:提供全面的电容和雪崩电压电流特性,便于性能验证。
    - 符合RoHS标准:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求,适用于绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    JCS2N60VB常用于开关电源、电机驱动和电池管理系统等应用场合。在具体应用中,应考虑散热措施以保证MOSFET正常工作。建议选择合适的散热片和电路板布局,以减小热阻。此外,在驱动电路设计时应注意栅极电阻的选择,以优化开关性能。

    兼容性和支持


    JCS2N60VB与其他电子元件的兼容性良好,适用于多种电路设计。制造商提供技术支持和售后服务,包括产品规格更新和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重。
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,电路板布局是否有优化空间。增加散热片面积或改善气流。
    2. 问题:器件损坏。
    - 解决方案:确认驱动电路是否正确配置,避免过压和过流情况。使用适当的保护电路如瞬态电压抑制器。
    3. 问题:器件噪声过大。
    - 解决方案:检查布线和电路板布局,减少寄生电感和电容。使用高质量的去耦电容。

    总结和推荐


    JCS2N60VB是一款性能优良的N沟道功率MOSFET,适用于各种高功率应用场景。它具有低栅极电荷、出色的耐久性和全面的电气特性。通过合适的散热设计和正确的驱动电路配置,可以充分发挥其性能优势。总体而言,我们强烈推荐使用这款MOSFET。

JCS2N60VB-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60VB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60VB-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60VB-VB JCS2N60VB-VB数据手册

JCS2N60VB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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