处理中...

首页  >  产品百科  >  NP90N04VDG-E1-AY-VB

NP90N04VDG-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: NP90N04VDG-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP90N04VDG-E1-AY-VB

NP90N04VDG-E1-AY-VB概述

    NP90N04VDG-E1-AY 产品技术手册

    产品简介


    NP90N04VDG-E1-AY 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了先进的 TrenchFET® 技术。这款 MOSFET 主要应用于同步整流和电源供应领域,能够显著提高电路的效率和可靠性。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 电压等级:漏源电压 \( V{DS} \) 最大值为 4 V。
    - 连续漏极电流:\( ID \) 在不同温度下分别为:
    - TC = 25°C:85 A
    - TC = 70°C:70 A
    - TA = 25°C:59 A
    - TA = 70°C:53 A
    - 脉冲漏极电流:\( I{DM} \) 最大值为 250 A。
    - 雪崩耐受能力:单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) 最大值为 320 mJ。
    - 热阻抗:
    - \( R{thJA} \) (最大):40 °C/W
    - \( R{thJC} \) (典型):0.33 °C/W
    - 温度范围:工作结温和存储温度范围为 -55°C 至 150°C。

    产品特点和优势


    NP90N04VDG-E1-AY 的主要特点和优势包括:
    - 高可靠性:经过 100% Rg 和 UIS 测试。
    - 低导通电阻:在 \( V{GS} = 10 V \) 下,\( R{DS(on)} \) 仅为 0.0050 Ω,在 \( V{GS} = 4.5 V \) 下为 0.0065 Ω。
    - 快速开关:具有短的开关时间和低的门电阻。
    - 低热阻:有助于改善散热性能,提高系统的可靠性。

    应用案例和使用建议


    NP90N04VDG-E1-AY 可用于多种应用场景,例如:
    - 同步整流:在直流-直流转换器和电源适配器中提供高效的能量转换。
    - 功率转换:适用于各种高频电源转换应用。
    使用建议:
    - 选择合适的散热方式:由于该器件具有较低的热阻,建议在设计时考虑良好的散热措施,以避免高温影响。
    - 考虑电压余量:在实际应用中,应确保系统电压不超过该器件的最大额定值。

    兼容性和支持


    NP90N04VDG-E1-AY 封装为 TO-252,具备良好的机械兼容性。制造商提供技术支持和售后服务,客户可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行导致温度过高。
    解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇进行辅助散热。
    - 问题:电流超出额定值。
    解决方案:使用更高级别的散热设计,或者减小负载电流,确保在安全范围内使用。

    总结和推荐


    NP90N04VDG-E1-AY 具有出色的性能和可靠性,特别适合于高频功率转换应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为同步整流的理想选择。综合考虑,强烈推荐在高效率电源设计中使用该产品。

NP90N04VDG-E1-AY-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 85A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP90N04VDG-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP90N04VDG-E1-AY-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP90N04VDG-E1-AY-VB NP90N04VDG-E1-AY-VB数据手册

NP90N04VDG-E1-AY-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504