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HUFA76419P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: HUFA76419P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUFA76419P3-VB

HUFA76419P3-VB概述


    产品简介


    本产品为一款N-Channel MOSFET(型号:HUFA76419P3-VB),属于表面贴装类型的半导体电子元器件。它的主要功能是通过控制栅极电压来实现电路的开关操作。这款MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中,如电源管理、电机驱动和逆变器等。由于其高效的开关性能和逻辑级门驱动能力,它在许多现代电子设备中发挥着重要作用。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 耐压范围:最大耐压为60V(VDS)。
    - 栅源电压范围:最大栅源电压为±20V(VGS)。
    - 连续漏极电流:25℃时为50A,在100℃时降额至36A。
    - 脉冲漏极电流:最高200A(脉宽限制见图11)。
    - 热阻抗:最大结-环境热阻为62°C/W,板载热阻为40°C/W。

    - 动态参数:
    - dv/dt(电压变化率):高达4.5V/ns。
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):典型值190pF。
    - 输出电容(Coss):未提供。
    - 反向转移电容(Crss):未提供。
    - 总门电荷(Qg):66nC(在48V、5.0V下测量)。

    - 温度特性:
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C。

    产品特点和优势


    这款N-Channel MOSFET具有如下特点和优势:
    - 高效率:具备快速开关能力和较低的导通电阻(RDS(on)),有助于提高能效。
    - 环保材料:符合RoHS指令,且无卤素,降低了对环境的影响。
    - 兼容性强:提供多种封装选项(如Tape and Reel),便于自动化生产和安装。
    - 高可靠性:适用于多种极端条件下的应用,如高温环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:此MOSFET特别适合用于高功率密度应用,如电池充电器、直流-直流转换器和马达驱动器。
    - 使用建议:建议用户根据实际工作环境调整工作温度范围,以确保长期稳定运行。同时,考虑到其高dv/dt特性,应在设计中注意避免产生过多的寄生电感,以防止损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与标准SMD设备兼容,易于集成到现有系统中。
    - 厂商支持:VBsemi提供详细的技术文档和在线技术支持,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理高温环境下MOSFET的性能下降?
    - 解决方案:通过合理散热设计,降低工作温度。例如,采用高效散热片或热管冷却系统。

    2. 问题:MOSFET在快速开关时出现过压现象如何处理?
    - 解决方案:选择合适的驱动电阻(Rg),以控制电流上升速率(dI/dt),并考虑添加缓冲电路以吸收过电压。

    总结和推荐


    综上所述,HUFA76419P3-VB是一款高性能、可靠且环保的N-Channel MOSFET。它不仅具备快速开关特性和低导通电阻,还具有良好的环境适应性和广泛的兼容性。对于需要高效率、高可靠性的电力电子设备而言,这款MOSFET是一个非常理想的选择。强烈推荐将其作为各类应用的理想电子元器件。

HUFA76419P3-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HUFA76419P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUFA76419P3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUFA76419P3-VB HUFA76419P3-VB数据手册

HUFA76419P3-VB封装设计

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100+ ¥ 1.6207
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型号 价格(含增值税)
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