处理中...

首页  >  产品百科  >  NP100N055PUH-VB

NP100N055PUH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: NP100N055PUH-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP100N055PUH-VB

NP100N055PUH-VB概述

    NP100N055PUH N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NP100N055PUH 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于表面贴装型电子元器件。它主要用于电源转换、电机控制和通信系统等领域。NP100N055PUH 具有卤素自由、低热阻等特性,适用于各种需要高效率和紧凑设计的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是 NP100N055PUH 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 | - | ±10 | V |
    | 漏源电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 50 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 200 | A |
    | 源漏通态电阻 | RDS(on) | - | 0.023 (VGS=10V) | - | Ω |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 250 | μA |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3000 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | - | - | - |
    | 门极电荷 | Qg | - | 66 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    NP100N055PUH 的主要特点和优势如下:
    - 环保材料:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 指令 2002/95/EC 标准,无卤素。
    - 高可靠性:耐温范围宽,从 -55 °C 到 +175 °C。
    - 快速开关:具有逻辑级门驱动和快速开关特性,可实现高效能转换。
    - 低热阻:优化的热管理设计,确保长期稳定运行。
    - 兼容性强:适用于多种应用场景,如电源管理和电机控制。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源转换器:用于提高转换效率和减少热量产生。
    - 电机控制系统:用于精确控制电动机的速度和方向。
    - 通信系统:用于实现高速信号传输。
    使用建议:
    - 在安装时要保证良好的散热条件,以防止过热。
    - 使用合适的 PCB 布局,减少寄生电感和电容,从而优化性能。
    - 配合合适的驱动电路,确保安全和高效的开关操作。

    5. 兼容性和支持


    NP100N055PUH 支持标准的表面贴装技术(SMT),可方便地集成到现有设计中。此外,厂商提供了详尽的技术文档和支持,帮助客户顺利应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:产品发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计,确保有足够的散热措施,例如增加散热片或改进 PCB 布局。
    问题2:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查门极驱动电路的设计,确保门极驱动信号的稳定性和准确性。
    问题3:漏极电流不稳定。
    - 解决方案:检查外部负载和供电条件,确保在正常工作范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NP100N055PUH N-Channel MOSFET 是一款高性能且应用广泛的电子元器件。它的独特功能和优势使其在多种应用场合中表现出色。对于寻求高效、可靠的电子解决方案的工程师和设计师来说,NP100N055PUH 是一个值得推荐的选择。

NP100N055PUH-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP100N055PUH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP100N055PUH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP100N055PUH-VB NP100N055PUH-VB数据手册

NP100N055PUH-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 27.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831