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NVD4804NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NVD4804NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD4804NT4G-VB

NVD4804NT4G-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    产品类型: N-Channel MOSFET
    主要功能:
    - 高效率电源管理
    - 快速开关能力
    - 低导通电阻(RDS(on))
    应用领域:
    - 服务器电源管理
    - 直流/直流转换器
    - 电源OR-ing应用

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 175°C) | ID | 120 | - | - | A |
    | 体二极管连续源极-漏极电流 | IS | 90 | - | - | A |
    | 额定功率耗散 | PD | 250 | - | - | W |
    | 绝对最大额定值 | - | - | - | - | - |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 94.8 | mJ |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 采用先进的沟槽栅技术,实现低导通电阻和高效率。
    - 可靠性测试: 所有样品经过100%的栅极电阻和雪崩测试。
    - 符合RoHS标准: 严格遵守欧盟RoHS指令,确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源系统中作为主控MOSFET,提高整体能效。
    - 在直流/直流转换器中用于快速负载切换,减少热量产生。
    使用建议:
    - 在高电流环境下使用时,注意散热设计,避免过热。
    - 配合合适的驱动电路,确保MOSFET能在最佳状态下工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品广泛应用于各类电源管理系统,与多种电路板和电源模块兼容。
    - 技术支持: 官方提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助客户顺利进行产品集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET在使用过程中发热严重。
    解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇辅助散热。

    2. 问题: 电路出现过压保护动作频繁。
    解决方案: 检查栅极电阻设置,调整栅极驱动电压,确保栅极驱动波形的正确性。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其高效的电源管理和出色的性能,在服务器和直流/直流转换器等领域表现出色。其低导通电阻和可靠的设计使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐用于需要高效能、高可靠性的应用场合。
    希望上述内容能为您提供足够的参考信息,如果您有任何进一步的需求或问题,请随时告知。

NVD4804NT4G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD4804NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD4804NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD4804NT4G-VB NVD4804NT4G-VB数据手册

NVD4804NT4G-VB封装设计

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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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