处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF840LC-VB

IRF840LC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 14M-IRF840LC-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF840LC-VB

IRF840LC-VB概述

    IRF840LC-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    IRF840LC-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于工业控制、电力变换及驱动系统等领域。其独特的设计使其在较低的栅极电荷下仍能保持优异的性能,简化了驱动电路的需求。此外,该器件具备高可靠性和良好的电气特性,非常适合在高电流环境下稳定运行。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 500V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.660Ω(在 VGS = 10V 下)
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 81nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 20nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 36nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 15ns
    - 上升时间 (tr): 39ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 39ns
    - 下降时间 (tf): 31ns
    - 封装: TO-220AB
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 500V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 13A(在 VGS = 10V 时,TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 50A
    - 最大功率耗散 (PD): 250W(在 TC = 25°C 时)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: IRF840LC-VB 的低栅极电荷有助于减少驱动需求,简化驱动电路的设计。
    - 高可靠性: 改善的栅极、雪崩和动态 dv/dt 坚固性使得该器件能够承受较高的电压和电流冲击。
    - 全参数化: 包括完全表征的电容和雪崩电压,这使得该器件在各种应用场景中表现出色。
    - 环保合规: 符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC 和 2011/65/UE 标准,适用于绿色制造环境。

    应用案例和使用建议


    IRF840LC-VB 可用于多种工业控制和电力变换系统中。例如,在电机驱动系统中,该器件可以实现高效的电流调节。在实际应用中,用户应考虑以下几个建议:
    - 散热管理: 由于该器件在较高电流下会发热,因此应采取有效的散热措施以避免过热。
    - 驱动电路设计: 由于其低栅极电荷特性,推荐使用简单的驱动电路以降低成本和复杂性。
    - 布局建议: 在 PCB 设计中应考虑低杂散电感,确保接地平面的有效性,从而提高整体性能。

    兼容性和支持


    IRF840LC-VB 与标准的 TO-220AB 封装兼容,适用于大部分标准电路板。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务热线,帮助用户解决任何安装或应用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备温度过高?
    - A: 确保采用有效的散热方案,如使用散热片或散热风扇。

    - Q: 驱动电路不稳定?
    - A: 检查驱动电路的设计是否合理,考虑使用更简单的设计或降低负载。
    - Q: 噪声干扰严重?
    - A: 重新评估 PCB 布局,确保接地平面和信号线的隔离,以减少杂散电感和电容的影响。

    总结和推荐


    IRF840LC-VB 是一款性能卓越的 N 沟道功率 MOSFET,具有低栅极电荷、高可靠性和出色的电气特性。它适用于多种工业控制系统,尤其适合需要高效电流调节的应用。综上所述,强烈推荐使用 IRF840LC-VB 以提升系统的整体性能和可靠性。

IRF840LC-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 13A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF840LC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF840LC-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF840LC-VB IRF840LC-VB数据手册

IRF840LC-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.0657
10+ ¥ 4.7677
30+ ¥ 4.2551
100+ ¥ 3.1884
1000+ ¥ 3.0692
3000+ ¥ 2.9798
库存: 50
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336