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IPD90N06S3L-07-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: IPD90N06S3L-07-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD90N06S3L-07-VB

IPD90N06S3L-07-VB概述

    N-Channel 60V (D-S) 175°C MOSFET IPD90N06S3L-07

    产品简介


    IPD90N06S3L-07 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子电路的设计和应用。这种器件采用了 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、LED 照明、汽车电子等领域。

    技术参数


    以下为 IPD90N06S3L-07 的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.0050 (VGS=10V), 0.0120 (VGS=4.5V) | Ω |
    | 持续漏极电流 (ID) | 97 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 290 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 (IAS) | 45 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 101 | mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | 136 | W |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 至 +175 | °C |
    | 结至环境热阻 (RthJA) | 50 | °C/W |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:显著降低导通电阻,提高效率。
    - 低热阻封装:有效散热,确保长期稳定运行。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适应恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:IPD90N06S3L-07 可用于设计高效能的开关电源系统,提供低导通电阻和高可靠性。
    - 电机驱动:其高电流承载能力和低导通电阻使其成为电机驱动系统的理想选择。
    - LED 照明:适用于需要高效率和高电流承载能力的 LED 驱动电路。

    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免过热损坏。
    - 使用合适的栅极电阻(Rg),以控制门极电荷注入速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用 TO-252 封装,易于与其他标准器件兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助客户进行应用设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. Q:在高电流应用中,器件发热严重。
    - A:增加散热片或采用更大的 PCB,确保良好的散热效果。
    2. Q:器件在高温环境中工作不稳定。
    - A:检查散热设计,考虑使用更高效的散热方案。
    3. Q:器件在启动时出现振荡现象。
    - A:检查门极驱动电路,确保合适的栅极电阻值,减少振荡现象。

    总结和推荐


    IPD90N06S3L-07 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合在高功率和高温度条件下工作的应用。其优异的导通电阻和高电流承载能力使其在众多领域得到广泛应用。总体而言,推荐将此产品用于需要高性能和高可靠性的电子电路设计中。
    通过细致的技术参数和实际应用案例分析,IPD90N06S3L-07 表现出色的技术性能和广泛的适用性。对于需要高效、可靠的电源管理解决方案的工程师来说,这是一个值得考虑的选择。

IPD90N06S3L-07-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
Id-连续漏极电流 110A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD90N06S3L-07-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD90N06S3L-07-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD90N06S3L-07-VB IPD90N06S3L-07-VB数据手册

IPD90N06S3L-07-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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