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2SK2459N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SK2459N-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2459N-VB

2SK2459N-VB概述


    产品简介


    本技术手册介绍了型号为2SK2459N-VB的N沟道200V MOSFET。该产品主要用于隔离和高电压环境下的电源转换应用。2SK2459N-VB具有动态dV/dt等级、低热阻以及出色的热管理能力。此外,该产品还具有铅(Pb)-free版本,以满足环保需求。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 200 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): 25 µA
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 3.7 mJ
    - 连续栅源电荷 (Qg): 16 nC
    - 最大工作温度 (TJ): 175 °C
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 5.5 V/ns
    - 漏源体二极管最大反向恢复电荷 (Qrr): 1.3 µC
    - 最高重复雪崩电流 (IAR): 7.2 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAS): 36 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 37 W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 6.5 A (当TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 36 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 7.2 A
    - 最大峰值电压dv/dt (dV/dt): 5.5 V/ns
    - 工作结温范围 (TJ): -55 至 +175 °C
    - 安装扭矩 (Mounting Torque): 10 lbf·in 或 1.1 N·m
    - 热阻:
    - 结至环境的最大热阻 (RthJA): 65 °C/W
    - 结至外壳的最大热阻 (RthJC): 4.1 °C/W

    产品特点和优势


    2SK2459N-VB具备多种独特的功能,使其在市场上具有竞争优势。具体来说:
    - 高隔离电压:具备2.5 kVRMS的隔离电压,确保可靠的操作环境。
    - 耐高温:能够在高达175 °C的环境下工作,适用于严苛的工作条件。
    - 低热阻:有助于降低器件内部温度,提高稳定性。
    - 快速响应:支持动态dv/dt等级,适用于高速开关应用。
    - 铅(Pb)-free版本:满足日益增长的环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业自动化:用于电机驱动器和传感器信号调理电路。
    - 可再生能源系统:作为光伏逆变器中的关键组件,确保高效能转换。
    - 汽车电子:在电动汽车充电系统中,保证安全可靠的电源转换。
    使用建议
    - 在设计时需考虑散热方案,以应对高温环境下的工作要求。
    - 选择合适的驱动电路,确保快速开关时间,减少dv/dt对系统的影响。
    - 考虑布局布线,减小引线电感,提高整体系统的稳定性和效率。

    兼容性和支持


    2SK2459N-VB能够与各种其他电子元器件良好兼容。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,包括安装扭矩要求、焊接推荐等,确保用户可以顺利集成到不同类型的系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过温 | 采用外部散热片或冷却风扇进行散热。 |
    | dv/dt过高引起EMI干扰 | 优化驱动电路和布线布局,减小引线电感。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查电源输入和接地是否稳定,确保驱动电压和频率一致。 |

    总结和推荐


    2SK2459N-VB是一款高性能、可靠稳定的N沟道200V MOSFET。它以其高隔离电压、耐高温、低热阻等特性,广泛应用于各种高压、高温环境。考虑到其在恶劣环境下的可靠性和稳定性,强烈推荐在需要高性能和高可靠性电源转换的场合使用此产品。

2SK2459N-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2459N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2459N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2459N-VB 2SK2459N-VB数据手册

2SK2459N-VB封装设计

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