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T20S60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: T20S60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) T20S60-VB

T20S60-VB概述


    产品简介


    本文档介绍了型号为T20S60的N-Channel 650V(D-S)超级结场效应晶体管(MOSFET)。此款MOSFET具有高效率和低功耗的特点,广泛应用于电信、照明、消费电子产品、工业控制和可再生能源等领域。具体而言,它适用于服务器和通信电源供应、高强度放电灯(HID)及荧光灯球灯装置、ATX电源供应、焊接设备、电池充电器、太阳能光伏逆变器和开关模式电源供应(SMPS)。

    技术参数


    - VDS(漏源电压)最大值:650V
    - RDS(on)(导通电阻)最大值:0.19Ω(在25°C下)
    - Qg(总栅极电荷)最大值:106nC
    - Qgs(栅极-源极电荷):14nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷):33nC
    - 输入电容(Ciss):2322pF(在VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz条件下)
    - 输出电容(Coss):105pF
    - 反向转移电容(Crss):4pF
    - 有效输出电容(Co):在VDS = 0V至520V,VGS = 0V条件下为84pF
    - 总栅极电荷(Qg):在VGS = 10V,ID = 11A,VDS = 520V条件下为106nC
    - 关断延迟时间(td(off)):在VDD = 520V,ID = 11A,VGS = 10V,Rg = 9.1Ω条件下为68ns
    - 热阻(RthJA):最大值为62°C/W
    - 最大脉冲雪崩能量(EAS):367mJ

    产品特点和优势


    - 低恢复时间(trr):减少恢复时间和逆向恢复电流(IRRM),从而降低功耗。
    - 低开关损耗:通过低栅极电荷(Qg)和低恢复电荷(Qrr)实现低开关损耗。
    - 高耐压能力:最大耐压达到650V,确保在高电压环境下稳定运行。
    - 优秀的热管理:低热阻(RthJA),提高散热效率,延长使用寿命。
    - 出色的切换性能:快速的开启和关闭特性,适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源供应:用于服务器和电信设备的电源管理,保证稳定的电力供应。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯和荧光灯球灯装置,提供高效的能量转换。
    - 工业控制:适用于焊接设备和电池充电器,提供可靠的电流控制。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑MOSFET的开关损耗,选择合适的驱动电阻(Rg)以优化开关速度和功耗。
    - 为了提高散热效果,可以采用良好的散热设计,如加装散热片或使用液冷技术。
    - 确保电路板的设计具有低杂散电感,以减少因快速开关引起的电压波动。

    兼容性和支持


    T20S60与大多数现有的电子系统兼容。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档、用户手册和技术咨询,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高温下出现过热现象。
    - 解决方法:增加散热片或采用更有效的散热方案,如液冷系统,以降低工作温度。

    2. 问题:MOSFET的导通电阻增加。
    - 解决方法:检查MOSFET的工作温度,确保其在规定的温度范围内工作。如果发现温度过高,需采取措施降低温度。

    3. 问题:电路在高频开关时出现异常。
    - 解决方法:调整驱动电阻(Rg)的大小,以优化开关速度和减小振荡。同时,确保电路板布局合理,减少杂散电感。

    总结和推荐


    总体来看,T20S60是一款高性能、低功耗的N-Channel 650V(D-S)超级结MOSFET。它的多种特性使其成为各类高功率应用的理想选择。无论是电信设备、工业控制系统还是可再生能源项目,这款产品都能提供卓越的性能和可靠性。因此,强烈推荐在相关领域内使用此产品。

T20S60-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

T20S60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

T20S60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 T20S60-VB T20S60-VB数据手册

T20S60-VB封装设计

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