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UTT18P06L-TN3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UTT18P06L-TN3-T-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT18P06L-TN3-T-VB

UTT18P06L-TN3-T-VB概述

    P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    P-Channel 60 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的半导体开关设备,广泛应用于高边开关、全桥转换器及LCD显示器的DC/DC转换器。该产品采用先进的TrenchFET®技术制造,能够在极端工作条件下保持稳定性能。此MOSFET无卤素,符合RoHS指令要求,适用于各类电子产品。

    技术参数


    - 电压范围: -60 V(D-S)
    - 最大连续漏极电流: 25 A(TJ=150°C时)
    - 脉冲漏极电流: 100 A
    - 单脉冲雪崩电流: 22 A
    - 单脉冲重复雪崩能量: 24.2 mJ
    - 功率耗散: 38.5 W(TC=25°C)
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS): -60 V
    - 栅阈电压(VGS(th)): -1 V至-3 V
    - 栅体泄漏电流(IGSS): ±100 nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): -1 A
    - 导通状态下漏极电流(ID(on)): -1 A(VDS=-5 V,VGS=-10 V)
    动态特性
    - 输入电容(Ciss): 130 pF
    - 输出电容(Coss): 90 pF
    - 反向转移电容(Crss): 90 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 26 nC(VDS=-30 V,VGS=-10 V)
    - 栅源电荷(Qgs): 4.5 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 7 nC
    - 开启延时时间(td(on)): 8 ns(VDD=-30 V,RL=3 Ω)
    - 上升时间(tr): 9 ns
    - 关闭延时时间(td(off)): 65 ns
    - 下降时间(tf): 30 ns
    二极管特性
    - 连续电流(IS): -20 A
    - 脉冲电流(ISM): -30 A
    - 正向电压(VSD): -1 V至-1.5 V
    - 反向恢复时间(trr): 41 ns至61 ns(IF=-19 A)

    产品特点和优势


    - 先进工艺: 采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻和快速响应。
    - 可靠性能: 全部经过UIS测试,保证在极端条件下的可靠性。
    - 环保标准: 无卤素设计,符合RoHS标准,适合现代电子设备的要求。
    - 广泛适用: 适用于高边开关、全桥转换器和LCD显示器的DC/DC转换器等多种场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 在高边开关应用中,此MOSFET用于驱动高侧晶体管;在DC/DC转换器中,它能够有效地调节电压输出,以适应LCD显示器的需求。
    - 使用建议: 确保电路板面积足够大,特别是在高温环境下使用时。同时注意散热措施,避免因过热导致的失效。

    兼容性和支持


    - 本产品与常见的PCB布局相兼容,建议使用至少1平方英寸的PCB面积。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能获得最佳使用体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高频工作条件下,MOSFET发热严重。
    - 解决方案: 增加散热片或改进散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题: 需要提高导通速度。
    - 解决方案: 减小栅极电阻值,可以加快MOSFET的开关速度。

    总结和推荐


    P-Channel 60 V (D-S) MOSFET以其出色的性能、稳定的可靠性及广泛的应用范围,成为电子设计中的优秀选择。特别是在需要高边开关和DC/DC转换器的应用场合中表现出色。厂商提供的全面技术支持和优秀的兼容性使得它在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐此产品用于相关应用。

UTT18P06L-TN3-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@10V,57mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Id-连续漏极电流 22A
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT18P06L-TN3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT18P06L-TN3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT18P06L-TN3-T-VB UTT18P06L-TN3-T-VB数据手册

UTT18P06L-TN3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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