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6N60ZL-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 6N60ZL-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6N60ZL-TF3-T-VB

6N60ZL-TF3-T-VB概述

    6N60ZL-TF3-T Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型:N-Channel Power MOSFET
    主要功能:高性能开关和低损耗电源转换
    应用领域:适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明系统(高亮度放电灯HID、荧光灯镇流器)等工业领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大值 650 V,适用于最大结温 150°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值在25°C时 1Ω,当 VGS = 10 V 时
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 16 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):最大值 11.1 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):最大值 11.8 nC
    - 最大连续漏电流 (ID):最大值在25°C时为100 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):最大值取决于最大结温
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值 860 mJ
    - 最高功耗 (PD):最大值 120 W
    - 结至环境热阻 (RthJA):最大值 63°C/W
    - 静态栅极-源极阈值电压 (VGS(th)):在 VDS = VGS,ID = 250 μA 条件下为 2.5 至 5 V

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):减少开关损耗和通态损耗,适合高频应用。
    - 低输入电容 (Ciss):提高响应速度,减少驱动功耗。
    - 卓越的雪崩耐受能力 (UIS):增强可靠性,适于恶劣环境。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):提供更高的效率和更低的功耗。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:由于其高效能和高可靠性,特别适用于数据中心和电信设备。
    - 照明系统:如HID和荧光灯镇流器,因其优越的热性能和快速开关性能,有助于节能和延长灯具寿命。
    - 建议使用环境温度不超过150°C,确保适当的散热设计以维持最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数现有的SMPS设计兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持文档和在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动后过热
    解决方案:检查散热片是否安装正确,确保足够的气流和通风条件。
    - 问题2:开关过程中产生过大的电磁干扰
    解决方案:增加滤波电容,优化电路板布局,降低电磁干扰。

    总结和推荐


    总体来说,6N60ZL-TF3-T是一款高性能的N-Channel Power MOSFET,具有低栅极电荷、低导通电阻等显著优势,适用于多种高要求的电源转换场合。我们强烈推荐使用该产品,特别是对于需要高效、可靠电力传输的应用场景。

6N60ZL-TF3-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6N60ZL-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6N60ZL-TF3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6N60ZL-TF3-T-VB 6N60ZL-TF3-T-VB数据手册

6N60ZL-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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