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K30A06J3A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K30A06J3A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K30A06J3A-VB

K30A06J3A-VB概述

    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET K30A06J3A-VB 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:提供高电流和低电阻通态导电能力,适用于开关电源和马达驱动等领域
    应用领域:适合作为电源转换器中的开关组件,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域

    2. 技术参数


    - 隔离包装:具备电气隔离功能
    - 高电压隔离:2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
    - 引脚到漏极爬电距离:4.8 mm
    - 工作温度:最高可达175 °C
    - 动态dv/dt等级
    - 低热阻:具有良好的散热性能
    - 无铅(Lead-free)可选
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(ID):45 A(TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):220 A(脉冲宽度受限于最大结温)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):100 mJ
    - 最大功耗(PD):52 W(TC = 25 °C)
    - 结到环境热阻(RthJA):最大65 °C/W
    - 结到外壳热阻(RthJC):最大3.1 °C/W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    规格参数:
    - 静态
    - 漏源击穿电压(VDS):60 V(VGS = 0 V,ID = 250 µA)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0 - 3.0 V(VDS = VGS,ID = 250 µA)
    - 零栅压漏电流(IDSS):最大25 μA(VDS = 60 V,VGS = 0 V)
    - 漏源通态电阻(RDS(on)):最大0.027 Ω(VGS = 10 V,ID = 18 A)
    - 动态
    - 输入电容(Ciss):最大1500 pF
    - 输出电容(Coss):-
    - 反向转移电容(Crss):-
    - 总栅极电荷(Qg):最大95 nC
    - 栅源电荷(Qgs):27 nC
    - 栅极到漏极电荷(Qgd):46 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):最大19 ns
    - 上升时间(tr):最大120 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):最大-55 ns
    - 下降时间(tf):最大86 ns

    3. 产品特点和优势


    - 隔离设计:具备高电压隔离功能,有效避免电路间的干扰
    - 高温适应性:可在高达175 °C的环境中稳定运行
    - 低热阻:提高散热效率,延长使用寿命
    - 动态 dv/dt 等级:保证在高频率应用中可靠工作
    - 低通态电阻:降低损耗,提高效率
    - 无铅:环保且符合RoHS标准

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于开关电源、马达驱动和工业控制系统中
    - 使用建议:
    - 电路设计:确保足够的散热措施,使用低热阻封装并合理布置PCB
    - 驱动电路:选用合适的栅极驱动电路以减小开关损耗,增强系统稳定性
    - 保护措施:增加过流和过热保护,防止器件损坏

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数开关电源和其他电子设备兼容
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档、样品和应用指南,通过400-655-8788热线提供技术支持

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关时产生过多热量?
    - A: 使用更高效的散热器,确保正确的驱动电压和电流以减少热损耗。
    - Q: 工作温度过高?
    - A: 在高温环境下工作时,采用热管或散热片来改善散热效果,确保工作在安全范围内。
    - Q: 开关时出现异常噪声?
    - A: 仔细检查电路设计,特别是地线连接,确保地线尽可能短,减少寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    优点:
    - 高隔离电压和工作温度范围
    - 低通态电阻和热阻,提升整体效率和可靠性
    - 符合RoHS和无铅要求,环保且适用广泛
    综合评估:K30A06J3A-VB是一款出色的N-Channel MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。其优良的性能和高可靠性使其成为电源转换领域的理想选择。强烈推荐用于需要高可靠性、高效能和宽工作温度范围的应用场合。

K30A06J3A-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K30A06J3A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K30A06J3A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K30A06J3A-VB K30A06J3A-VB数据手册

K30A06J3A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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