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J530STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J530STL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J530STL-E-VB

J530STL-E-VB概述

    P-Channel MOSFET J530STL-E 技术手册

    产品简介


    J530STL-E 是一种高性能P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为负载开关和其他电源管理应用设计。它采用TO-252封装,具有出色的热稳定性和低导通电阻,能够提供稳定的电流输出并保持良好的电气性能。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压VDS为60V。
    - 最大连续漏极电流:在TJ=175°C时,最大连续漏极电流ID为-30A(TC=25°C时)。
    - 导通电阻:在VGS=-10V时,RDS(on)最小值为0.061Ω;在VGS=-4.5V时,RDS(on)最小值为0.072Ω。
    - 栅源电荷:总栅源电荷Qg典型值为10nC。
    - 输入电容:输入电容Ciss为1000pF(VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz)。
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围为-55°C到175°C。
    - 热阻:结到环境热阻RthJA最大值为25°C/W;结到壳热阻RthJC最大值为6°C/W。

    产品特点和优势


    - 先进的TrenchFET®技术:保证100% UIS测试,提供出色的导通性能。
    - 低导通电阻:在不同温度下均表现出色,适合高效率应用。
    - 高可靠性:提供多种保护措施,确保长期运行的稳定性。
    - 广泛的应用领域:适用于各种电源管理和负载开关应用。

    应用案例和使用建议


    J530STL-E常用于负载开关应用,如DC/DC转换器、电源逆变器和电池管理系统。以下是一些使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热设计合理,以避免过热损坏。
    - 使用低内阻驱动器以降低开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,注意热设计以保证性能。

    兼容性和支持


    J530STL-E与大多数标准电路板兼容,并且可通过表面贴装技术轻松安装。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、视频教程和客户支持热线(400-655-8788),帮助客户解决问题和优化系统设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的漏电流
    - 解决方案:检查负载是否短路,必要时更换合适的熔断器或保险丝。

    2. 问题:发热严重
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或外部冷却系统。

    3. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:检查驱动信号质量和驱动电阻值,确保符合器件要求。

    总结和推荐


    J530STL-E P沟道MOSFET以其卓越的导通性能、高可靠性以及广泛的应用领域,成为电源管理领域的优秀选择。它的低导通电阻和快速响应使其非常适合高效率的应用场合。强烈推荐在负载开关和电源管理应用中使用此器件。
    通过详尽的技术规格和支持资源,J530STL-E无疑将成为您的项目中的可靠伙伴。

J530STL-E-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 38A
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J530STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J530STL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J530STL-E-VB J530STL-E-VB数据手册

J530STL-E-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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