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JCS20N20CT-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: JCS20N20CT-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS20N20CT-O-C-N-B-VB

JCS20N20CT-O-C-N-B-VB概述

    JCS20N20CT-O-C-N-B-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS20N20CT-O-C-N-B-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道200 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用TrenchFET技术,具有低导通电阻、高工作温度等特点。主要应用于电源管理和主侧开关等领域,适用于需要高效率和可靠性的电子设备。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 200 V | 最大值 |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 V | 极限值 |
    | 持续漏电流(TC) | 125 °C 下为 25 A
    | 脉冲漏电流(IMD) | 70 A
    | 工作温度范围(TJ) | -55°C 到 175°C
    | 静态栅体泄漏(IGSS) | VDS=0V, VGS=±20V时, ≤ 100 nA
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS=10V时,最大 0.130Ω | 在 175°C 下 |
    | 电容特性 | 输入电容(Ciss) = 1800 pF | 输出电容(Coss) = 180 pF |
    | 其他参数 | 转导电容(Crss) = 80 pF | 总栅电荷(Qg) = 34 nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET技术:显著降低导通电阻,提升整体效率。
    - 高耐热能力:能够在高达175°C的温度下正常工作,增强设备在恶劣环境下的可靠性。
    - PWM优化设计:特别适合脉宽调制电路,提高系统效率。
    - 100% Rg测试:确保每个产品的质量稳定。
    - 符合RoHS指令:环保材料,满足欧盟绿色标准。

    4. 应用案例和使用建议


    JCS20N20CT-O-C-N-B-VB 常用于开关电源转换器的主侧开关。例如,在一个典型的开关电源中,它负责将输入的直流电转换成所需的输出电压。建议在使用时注意散热管理,因为高功率应用中热量会迅速积累。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用标准TO-220AB封装,易于与大多数PCB组装工艺兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的应用指南和技术咨询,帮助客户高效集成和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后导通电阻变大。
    - 解决办法:检查散热系统是否正常运行,必要时更换散热器。
    - 问题2:无法达到标称的最大电流。
    - 解决办法:检查电路布局,确保电流路径无阻抗。


    7. 总结和推荐


    总体来看,JCS20N20CT-O-C-N-B-VB是一款高性价比的N沟道MOSFET,尤其适合需要高温环境和高可靠性要求的应用场合。其低导通电阻、高性能和稳定的品质使其在市场上具备较强的竞争力。因此,强烈推荐在需要高性能开关的电子设备中使用此款产品。

JCS20N20CT-O-C-N-B-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS20N20CT-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS20N20CT-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS20N20CT-O-C-N-B-VB JCS20N20CT-O-C-N-B-VB数据手册

JCS20N20CT-O-C-N-B-VB封装设计

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