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UT4421L-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT4421L-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4421L-S08-R-VB

UT4421L-S08-R-VB概述

    UT4421L-S08-R P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT4421L-S08-R 是一款 P-Channel 60V(D-S)功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TrenchFET® 技术制造。 这种 MOSFET 主要用于需要高效率和高性能的应用场景。它的主要功能是在开关电源、电机驱动器和负载切换中作为开关组件。由于其卓越的电气特性和可靠性,这种器件广泛应用于工业控制、汽车电子和通信系统等领域。

    2. 技术参数


    - 主要电气参数:
    - 漏源电压 (VDS):-60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):-1.0 V 至 -2.5 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):-1 V 至 -50 μA (125 °C), -150 μA (175 °C)
    - 通态漏极电流 (ID(on)):最大为 -30 A
    - 通态漏源电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V,ID = -4.3 A 时:典型值为 0.050 Ω
    - 在 VGS = -10 V,ID = -4.3 A,TJ = 125 °C 时:典型值为 0.070 Ω
    - 在 VGS = -10 V,ID = -4.3 A,TJ = 175 °C 时:典型值为 0.080 Ω
    - 在 VGS = -4.5 V,ID = -3.8 A 时:典型值为 0.060 Ω
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):-60 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时:-8 A
    - TC = 125 °C 时:-4.75 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):-22.4 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):25 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C 时:5 W
    - TC = 125 °C 时:1.67 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +175 °C
    - 热阻率:
    - 结至环境热阻 (RthJA):110 °C/W
    - 结至引脚(漏极)热阻 (RthJF):30 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:显著提高电流处理能力和降低导通电阻。
    - 高可靠性:所有器件都经过 Rg 和 UIS 测试,确保产品质量。
    - 宽温度范围:在 -55 °C 至 +175 °C 的工作温度范围内表现出色。
    - 优异的热管理能力:低热阻率有助于保持设备在高温下的稳定运行。
    - 坚固耐用:即使在极端条件下也能保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该 MOSFET 可用于开关电源转换器、逆变器、电机驱动器和其他需要高效开关的场合。
    - 使用建议:
    - 散热设计:在高电流应用中,应考虑良好的散热设计以避免过热。
    - 电路布局:合理安排电路布局以减少寄生电感和电容的影响。
    - 保护措施:添加合适的保护电路,如瞬态抑制二极管(TVS),以防止电压尖峰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UT4421L-S08-R 可与标准 SO-8 封装的其他器件兼容。
    - 技术支持:厂商提供详细的技术文档和支持,客户可以随时联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:设备在高温环境下工作时稳定性下降。
    - 解决方案:检查散热设计并增加散热片或冷却风扇以增强散热效果。
    - 问题 2:设备出现短路故障。
    - 解决方案:检查电路连接并确保没有短路现象。增加适当的过流保护电路。
    - 问题 3:设备在高频率操作时出现不稳定。
    - 解决方案:重新考虑电路布局,优化寄生电容和电感的影响。

    7. 总结和推荐


    总体评价:UT4421L-S08-R P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,适用于多种应用场景。其优异的热管理和卓越的电气特性使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐使用:强烈推荐在高效率开关应用中使用 UT4421L-S08-R。其出色的热管理和高可靠性使其成为理想的选择。

UT4421L-S08-R-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,61mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4421L-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4421L-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4421L-S08-R-VB UT4421L-S08-R-VB数据手册

UT4421L-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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起订量: 15 增量: 4000
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